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VLSI圆片级可靠性技术
1
作者
章晓文
恩云飞
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第3期44-49,共6页
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同...
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明。
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关键词
圆片级可靠性技术
金属化
完整性
氧化层
完整性
连接完整性
热载流子注入
集成电路
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职称材料
题名
VLSI圆片级可靠性技术
1
作者
章晓文
恩云飞
机构
信息产业部电子第五研究所
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
2002年第3期44-49,共6页
文摘
介绍了圆片级可靠性技术产生的背景,对其特点和作用作了详细的论述。测试内容上着重介绍了金属化完整性测试、氧化层完整性测试、连接完整性测试和热载流子注入测试,根据测试数据,对1.0μm工艺线单一失效机理的可靠性进行了评价,对不同测试结构的作用进行了说明。
关键词
圆片级可靠性技术
金属化
完整性
氧化层
完整性
连接完整性
热载流子注入
集成电路
Keywords
WLR
metal line reliability
contact reliability
gate oxide integrity
hot carrier in jection
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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1
VLSI圆片级可靠性技术
章晓文
恩云飞
《电子产品可靠性与环境试验》
2002
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