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自发极化强度对VFLC电光迟滞曲线影响的电路级模拟
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作者 王梦遥 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期842-847,共6页
提出了关于V字型铁电液晶(V-shaped Ferroelectric Liquid Crystal,VFLC)的等效电路模型,旨在将EDA技术引入对VFLC光电集成系统进行研究、开发和设计。该模型考虑了由铁电液晶盒多层结构和驱动电路引起的阻抗分配效应,以及极化与非极化... 提出了关于V字型铁电液晶(V-shaped Ferroelectric Liquid Crystal,VFLC)的等效电路模型,旨在将EDA技术引入对VFLC光电集成系统进行研究、开发和设计。该模型考虑了由铁电液晶盒多层结构和驱动电路引起的阻抗分配效应,以及极化与非极化锚定能对VFLC光电响应特性的影响。演示了电光迟滞曲线的反常迟滞、V字型及正常迟滞状态,并着重就自发极化强度对电光迟滞曲线的影响给出了模拟结果和分析。结果表明:强制电压随驱动信号频率的提高而增加,但增加速度随自发极化强度的提高而减慢;强制电压和迟滞反转频率随自发极化强度的变化均存在一个拐点,强制电压在自发极化强度为80nC/cm2时取到最小值(-0.084V),迟滞反转频率在自发极化强度为90nC/cm2时达到最大值(6.4Hz);自发极化强度小于80nC/cm2时,迟滞反转频率随自发极化强度准线性增加。模拟结果从量级和趋势上均与实验结果吻合。 展开更多
关键词 V字型铁电液晶 电路模型 自发极化强度 迟滞反转频率
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