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毛细管电泳用于评价脱氧核糖核酸退火反应 被引量:3
1
作者 何新亚 周小棉 林炳承 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期10-13,共4页
将毛细管电泳技术用于定性和定量评价互补单链脱氧核糖核酸 (DNA)的退火反应 ,从电泳信号能直接观察退火效率。解释了双链DNA的电泳迁移特性 ,对DNA产品基质中的NaCl浓度进行了测定 ,考察了DNA样品中NaCl浓度对进样的稀释效应。在所应... 将毛细管电泳技术用于定性和定量评价互补单链脱氧核糖核酸 (DNA)的退火反应 ,从电泳信号能直接观察退火效率。解释了双链DNA的电泳迁移特性 ,对DNA产品基质中的NaCl浓度进行了测定 ,考察了DNA样品中NaCl浓度对进样的稀释效应。在所应用的实验条件下 ,NaCl浓度在 2 0mmol L以内稀释效应的影响是可以忽略的。 展开更多
关键词 评价 退火反应 毛细管电泳 脱氧核糖核酸 DNA 合成 分析 脱盐
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SiC高温激活退火炉反应室的温场均匀性研究
2
作者 周铁 吴永明 张毅 《机床与液压》 北大核心 2024年第2期181-186,共6页
SiC高温激活退火炉反应室的温度高、结构复杂,通工艺气体时易导致反应室内温度不均匀,影响产品质量。为获得高均匀温场的反应室,根据退火炉的设备数据建立反应室的物理模型;基于固体和流体传热、表面对表面辐射传热模型等,应用COMSOL Mu... SiC高温激活退火炉反应室的温度高、结构复杂,通工艺气体时易导致反应室内温度不均匀,影响产品质量。为获得高均匀温场的反应室,根据退火炉的设备数据建立反应室的物理模型;基于固体和流体传热、表面对表面辐射传热模型等,应用COMSOL Multiphysics6.0系统构建退火炉反应室仿真模型。通过改变工艺管、衬管结构,优化加热器距离、气体流量、隔热屏高度等参数来模拟退火炉反应室的温度分布情况。仿真结果表明:将工艺管和衬管设计为嵌套结构,加热器距离为9 mm、流量为25 L/min、隔热屏高度为178 mm时,最大温差由340℃降至±4℃,反应室内温场均匀性达到最优。 展开更多
关键词 退火反应 高均匀温场 COMSOL Multiphysics6.0系统 仿真分析
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离子束辅助淀积下Cu/Si系统相变研究
3
作者 张楠 邱安平 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2001年第4期75-77,共3页
研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生成Cu15Si4相.IBAD复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于... 研究在离子束条件下硅基底上淀积金属薄膜及其界面结构在退火条件下金属硅化物的形成和变化特点,即15keV的Ar+在IBAD条件下直接生成Cu15Si4相.IBAD复合薄膜样品在退火前无新相生成,而退火后形成ε相,不同于通常Cu-Si退火反应生成ε相的相序.研究证明在Cu-Si界面退火反应系统中,ε相的成核是得到稳定相结构的关键. 展开更多
关键词 金属硅化物 相变 金属薄膜 铜硅界面退火反应 离子束辅助沉积 真空镀膜
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金属保护层改善NiSi/Si肖特基势垒均匀性的研究 被引量:2
4
作者 陈金凌 高玉芝 张利春 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期109-112,共4页
 用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保...  用溅射-退火反应的方法制作NiSi/Si肖特基二极管,采用Ti和Co两种金属保护层结构,以提高硅化物的形成质量。对肖特基二极管反向I-V特性的测量结果表明:相对于没有保护层的样品,有保护层样品的反向电流明显减小,而且Ti保护层结构比Co保护层结构的作用更明显;没有保护层的管子和有保护层的管子具有不同的边缘特性。实验数据能够很好地用非均匀肖特基势垒输运模型拟合。提取出的参数表明,保护层结构在不同程度上有效地提高了肖特基势垒的均匀性,从而减小了肖特基二极管的反向电流;边缘特性的差异性也是由于肖特基势垒均匀性的改变而导致的。金属保护层能提高肖特基势垒的均匀性是因为保护层抑制了工艺过程中的氧污染。 展开更多
关键词 肖特基接触 NISI 肖特基二板管 肖特基势垒 非均匀性 金属保护层 溅射-退火反应 镍硅化合物
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氧化铟空心球的合成及其气敏性能研究 被引量:1
5
作者 汪婧妍 高兆芬 +1 位作者 潘庆谊 徐甲强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期11-13,共3页
采用溶剂热–退火反应法合成了氧化铟空心球。所获空心球用XRD,TEM和SEM等表征。发现所合成的氧化铟空心球直径介于0.5-1.0μm,且该空心球是由粒径约50nm的氧化铟纳米块堆积而成。研究了用此空心球制备的气敏元件的气敏性能。结果表明,... 采用溶剂热–退火反应法合成了氧化铟空心球。所获空心球用XRD,TEM和SEM等表征。发现所合成的氧化铟空心球直径介于0.5-1.0μm,且该空心球是由粒径约50nm的氧化铟纳米块堆积而成。研究了用此空心球制备的气敏元件的气敏性能。结果表明,氧化铟空心球结构有益于提高元件的响应性能。此外,该元件对NO2气体有较快的响应(8s)并且恢复时间较短(15s)。 展开更多
关键词 In2O3空心球 溶剂热–退火反应 气敏元件 NO2
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基于箔材反应退火合成的Ti Al基复合材料板材研究进展 被引量:5
6
作者 耿林 吴昊 +1 位作者 崔喜平 范国华 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1625-1636,共12页
本文综述了利用纯Ti箔和铝基复合材料(Al-MMC)箔反应退火合成Ti Al基复合材料板材的研究进展。该方法包括对多层Ti/Al-MMC复合板的变形和反应退火热处理,在避免对脆性TiAl金属间化合物直接变形的同时,制备出具有较高强度和延伸率的Ti A... 本文综述了利用纯Ti箔和铝基复合材料(Al-MMC)箔反应退火合成Ti Al基复合材料板材的研究进展。该方法包括对多层Ti/Al-MMC复合板的变形和反应退火热处理,在避免对脆性TiAl金属间化合物直接变形的同时,制备出具有较高强度和延伸率的Ti Al基复合材料板材。对合成过程中Ti Al基复合材料板材的组织演化和形成机理进行了总结,重点阐明了铝基复合材料与Ti的两步热处理的反应机理,提出了消除Kirkendall孔洞的工艺方法,为大尺寸TiAl基复合材料板材的制备提供了可行的工艺方案。 展开更多
关键词 TIAL金属间化合物 复合材料 板材 反应退火 扩散动力学
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Multilayered Ti-Al intermetallic sheets fabricated by cold rolling and annealing of titanium and aluminum foils 被引量:14
7
作者 孙彦波 赵业青 +3 位作者 张迪 刘翠云 刁浩岩 马朝利 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第8期1722-1727,共6页
Multilayered Ti-Al based intermetallic sheets were fabricated by sintering alternately layered titanium and aluminum foils.The microstructure and phase formation of the obtained sheets under different sintering condit... Multilayered Ti-Al based intermetallic sheets were fabricated by sintering alternately layered titanium and aluminum foils.The microstructure and phase formation of the obtained sheets under different sintering conditions were evaluated by various techniques.The results reveal that when the sintering temperature is above the melting point of aluminum,the self-propagating high-temperature synthesis reaction occurs between Ti and Al,and forms various phases of Ti-based solid solutions including α-Ti Ti3Al,TiAl,TiAl2 and α-Ti including TiAl3,etc.When the sintering time increased,Ti-based solid solution,TiAl2 and TiAl3 disappeared gradually,and the sheet containing Ti3Al and TiAl phases in a multilayered structure formed finally.A lot of voids were also observed in the sintered structures,which were caused by the melting Al,Kirkendall effect and the difference of molar volumes between reactants and products.The voids were eliminated and a dense sample was obtained by the following hot press. 展开更多
关键词 multilayered composites Ti-Al based intermetallics self-propagating high-temperature synthesis voids cold rolling ANNEALING
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Rapid synthesis of Pd single‐atom/cluster as highly active catalysts for Suzuki coupling reactions 被引量:2
8
作者 Hehe Wei Xiaoyang Li +7 位作者 Bohan Deng Jialiang Lang Ya Huang Xingyu Hua Yida Qiao Binghui Ge Jun Ge Hui Wu 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第4期1058-1065,共8页
Palladium(Pd)‐based catalysts are essential to drive high‐performance Suzuki coupling reactions,which are powerful tools for the synthesis of functional organic compounds.Herein,we developed a solution‐rapid‐annea... Palladium(Pd)‐based catalysts are essential to drive high‐performance Suzuki coupling reactions,which are powerful tools for the synthesis of functional organic compounds.Herein,we developed a solution‐rapid‐annealing process to stabilize nitrogen‐mesoporous carbon supported Pd single‐atom/cluster(Pd/NMC)material,which provided a catalyst with superior performance for Suzuki coupling reactions.In comparison with commercial palladium/carbon(Pd/C)catalysts,the Pd/NMC catalyst exhibited significantly boosted activity(100%selectivity and 95%yield)and excellent stability(almost no decay in activity after 10 reuse cycles)for the Suzuki coupling reactions of chlorobenzenes,together with superior yield and excellent selectivity in the fields of the board scope of the reactants.Moreover,our newly developed rapid annealing process of precursor solutions is applied as a generalized method to stabilize metal clusters(e.g.Pd,Pt,Ru),opening new possibilities in the construction of efficient highly dispersed metal atom and sub‐nanometer cluster catalysts with high performance. 展开更多
关键词 Pd single‐atom/cluster catalyst Suzuki coupling reactions Solution rapid annealing Energy barrier High yield
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Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性 被引量:2
9
作者 杨莺歌 马洪磊 +3 位作者 郝晓涛 马瑾 薛成山 庄惠照 《中国科学(A辑)》 CSCD 北大核心 2002年第12期1102-1105,共4页
用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶.GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm.在354 nm处发现强室温光致发光峰,带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.
关键词 SI(111)衬底 GAN薄膜 制备 光致发光 氮化镓薄膜 硅衬底 溅射后退火反应 半导体材料
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基于DNA计算的图像模板匹配算法 被引量:2
10
作者 赵东明 罗亮 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期97-101,共5页
针对已有的图像匹配算法都是在小规模基础上的统计识别方法,均是串行运算,对样本的训练和目标识别都须进行大量复杂的运算,难以适应大规模图像比对的问题,利用DNA计算强大的并行性,提出了一种基于DNA计算的图像模板匹配算法.首先,将二... 针对已有的图像匹配算法都是在小规模基础上的统计识别方法,均是串行运算,对样本的训练和目标识别都须进行大量复杂的运算,难以适应大规模图像比对的问题,利用DNA计算强大的并行性,提出了一种基于DNA计算的图像模板匹配算法.首先,将二进制的图像信号编码为满足一系列约束并允许一定非特异性杂交的DNA序列;然后,通过DNA退火反应得到匹配问题的解;最后,利用这一算法得出的128个单链DNA编码进行了数字图像模板匹配的仿真实验.仿真结果表明DNA计算应用于大规模图像匹配问题是可行的. 展开更多
关键词 图像识别 模板匹配 计算机视觉 DNA计算 DNA序列 DNA退火反应
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热处理工艺对MgB_2超导薄膜制备和表面形貌的影响
11
作者 王松 马奎 +4 位作者 周章渝 杨发顺 杨健 王代强 傅兴华 《低温与超导》 北大核心 2017年第10期1-6,64,共7页
MgB_2作为一种独特而重要的高温超导材料(HTS),具备超导转变温度高,相干长度大,临界电流和临界磁场高等优势,具有在超导电子学领域大规模应用的潜力。基于MgB_2超导薄膜的超导器件的制备是该材料能否走向大规模应用的关键。在MgB_2超导... MgB_2作为一种独特而重要的高温超导材料(HTS),具备超导转变温度高,相干长度大,临界电流和临界磁场高等优势,具有在超导电子学领域大规模应用的潜力。基于MgB_2超导薄膜的超导器件的制备是该材料能否走向大规模应用的关键。在MgB_2超导薄膜的CVD法制备过程中,通过优化退火工艺的温度参数,使得MgB_2超导薄膜在单晶基片上的附着和稳定性增强。加入回火处理工艺,提高了薄膜表面的平整度,为MgB_2超导薄膜从材料走向器件创造了条件。 展开更多
关键词 MGB2超导薄膜 退火反应 回火处理 超导器件
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Mn-doped SiGe thin films grown by UHV/CVD with room-temperature ferromagnetism and high hole mobility 被引量:2
12
作者 Limeng Shen Xi Zhang +3 位作者 Jiaqi Wang Jianyuan Wang Cheng Li Gang Xiang 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第10期2826-2832,共7页
In this work,silicon-germanium(SiGe)thin films are epitaxially grown on Ge substrates by ultra-high vacuum chemical vapor deposition and then doped with Mn element by ion-implantation and subsequent rapid thermal anne... In this work,silicon-germanium(SiGe)thin films are epitaxially grown on Ge substrates by ultra-high vacuum chemical vapor deposition and then doped with Mn element by ion-implantation and subsequent rapid thermal annealing(RTA).The characterizations show that the epitaxial SiGe thin films are single-crystalline with uniform tensile strain and then become polycrystalline after the ion implantation and following RTA.The magnetization measurements indicate that the annealed thin films exhibit Mn concentration-dependent ferromagnetism up to 309 K and the X-ray magnetic circular dichroism characterizations reveal the spin and orbital magnetic moments from the substitutional Mn element.To minimize the influence of anomalous Hall effect,magneto-transport measurements at a high magnetic field up to 31 T at 300 K are performed to obtain the hole mobility,which reaches a record-high value of~1230 cm^(2)V^(-1)s^(-1),owing to the crystalline quality and tensile strain-induced energy band modulation of the samples.The first demonstration of Mn-doped SiGe thin films with roomtemperature ferromagnetism and high carrier mobility may pave the way for practical semiconductor spintronic applications. 展开更多
关键词 diluted magnetic semiconductor Mn-doped SiGe FERROMAGNETISM hole mobility UHV/CVD
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