室温辐射探测器用碲锌镉晶体的退火改性研究进展

碲锌镉(CdZnTe)作为一种重要的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,因其具备优异的光电性能,成为制备室温辐射探测器的理想材料。但生长态的CdZnTe晶体中不可避免地会引入Cd空位、沉淀/夹杂相、杂质和位错等缺陷,严重影响了所制备器件的质量和光电性能。因此,需对生长态晶体进行退火改性处理以提高晶体的质量。本文分析了CdZnTe材料中存在的主要缺陷,重点综述了退火改性工艺如退火温度、退火时间、退火气氛以及退火方式对CdZnTe晶体质量及探测器性能的影响。

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的晶体缺陷及其控制

围绕作者所在课题组近年来的研究工作,综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体晶体生长过程中的各种结构缺陷及其形成机理.从晶体生长过程和后续的热处理过程两个方面指出了晶体缺陷的控制原理和方法.