推挽式单极性SPWM电压源逆变器的设计

通过一对波形完全相同、相位差为180°的SPWM信号进行门极驱动,可在推挽式逆变器的输出端得到一个合成的正弦电压源。在这种逆变器中,由半导体开关通态压降产生的开关损耗仅为全桥结构逆变器的1/2。用一个双微分门极驱动电路和一个无损耗缓冲吸收电路共同抑制IGBT的开关损耗,特别是抑制IGBT拖尾电流产生的损耗。文中还介绍了单极性SPWM发生器、双微分门极驱动电路和无损耗缓冲吸收电路的工作原理。