用于高压中功率的新型逆导门极换流晶闸管

到目前为止,门极换流晶闸管(GCT)被认为是甚高功率应用的理想器件,在4”硅片上已能做出3kV/6kA(带/不带吸收电路),耐压额定值高达6kV的器件。而对于较低的电流,便于模块化的IGBT却被认为是最好使的器件。然而,对于直流中间电压2kV～10kV的传动工况,其电流只有几百安,但其可靠性和效率有严格的要求,这导致开发了电流为200A～3000A,额定电压为4.5kV～5.5kV的新型无吸收逆导GCT。本文介绍了这种新产品系列的额定值和特性值。