不同冷却条件SiCp/ZA-27复合材料界面的TEM观察

主要用透射电子显微技术（ＴＥＭ）、电子探针显微分析（ＥＰＭＡ）和选区电子衍射技术（ＳＡＤ）分析了不同冷却条件下ＳｉＣｐ／ＺＡ－２７复合材料的界面特征和结构，发现冷却速度明显影响复合材料的界面结构、界面相组成和复杂金属氧化物的分布以及校晶生长过程的溶质二次分配，且复合材料慢冷时的界面比液淬时的界面复杂得多．复合材料浆液液淬快冷时的界面特征是初生ａ（Ａ１）相与ＳｉＣ颗粒直接机械结合，界面光滑无界面反应产物和中间过渡相及非晶氧化物；电磁搅拌随炉冷却条件下，复合材料界面绝大部分是共晶组织与ＳｉＣ颗粒直接结合，少部分是由共晶组织／岛状非晶组织／ＳｉＣ组成；随炉慢冷时的界面主要是由共晶组织／非晶组织／ＳｉＣ组成，金属基体与ＳｉＣ直接结合的界面非常少．不同冷却条件制备的复合材料的界面存在不同厚度的非晶组织．根据界面形貌和选区电子衍射花样并结合计算机模拟计算，发现部分界面处存在第三相（如ＭｇＡｌ２Ｏ４，Ｍｇ６ＣｕＡｌ７等相），合成电子衍射花样表明这些第三相与ＳｉＣ或基体间无晶体学位相关系．未发现ＳｉＣ与基体间有晶体学位相关系，说明ａ（Ａ１）或共晶相在ＳｉＣ表面成核的可能性较小．复合材料浆液水淬后的基体经微衍射分析得出过饱和?

Si衬底生长InGaN/GaN多量子阱横断面TEM试样制备及成像分析

文章对Si衬底GAN基GaN/InGaN多量子阱TEM薄膜断面样品制备给予了详细介绍,并对其TEM衍射衬度像、高分辨透射电子显微像及选区电子衍射花样成像条件及其衬度进行了分析。

单晶SADP标定程序编制的纯hkl法要点

指出为分析复杂结构晶体的单晶ＳＡＤＰ用ｈｋｌ法编制计算机程序时遇到的困难，提出一种纯ｈｋｌ法并给出了这种方法的特有部分的数理分析结果．

试论复杂结构单晶SADP的标定

指出对一些复杂结构的晶体可根据其衍射条件按不同方法对其单晶ＳＡＤＰ进行标定，对现有方法无法进行标定的复杂结构按其衍射条件制备标准图表或程序后进行分析标定．提出一种纯ｈｋｌ法使程序修改变得简单易行．