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MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究
被引量:
1
1
作者
罗风光
曹明翠
+3 位作者
李洪谱
万安君
徐军
李再光
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第4期318-321,共4页
本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.
关键词
MOCVD
激光诱导
选择原子层
外延生长
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究
被引量:
1
1
作者
罗风光
曹明翠
李洪谱
万安君
徐军
李再光
机构
华中理工大学激光技术国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996年第4期318-321,共4页
基金
电科院预研基金
文摘
本文对 MOCVD 激光诱导选择原子层外延进行了研究,设计并制作了一种激光诱导原子层外延生长室结构,该系统能实现低温 MOCVD 生产,可形成稳定的层流,易于生长均匀的外延层,通过激光诱导可实现选择性的原子层外延.
关键词
MOCVD
激光诱导
选择原子层
外延生长
Keywords
MOCVD
Laser-assisted
Elect atomic layer epitaxy
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MOCVD激光诱导选择原子层外延(LALE)生长室的研究
罗风光
曹明翠
李洪谱
万安君
徐军
李再光
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
1996
1
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