HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备

利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 。

基于InP/空气隙布拉格反射镜的长波长谐振腔光电探测器

报道了一种长波长的 In P基谐振腔 (RCE)光电探测器 .采用选择性湿法刻蚀 ,制备出基于 In P/空气隙的分布布拉格反射镜 ,并将该结构的反射镜引入 RCE光电探测器 .制备的器件在波长 1.5 10 μm处获得了约 5 9%的峰值量子效率 ,以及 8GHz的 3d B响应带宽 ,其中器件的台面面积为 5 0 μm× 5 0 μm.

高性能InP基谐振腔增强型长波长光探测器

介绍了目前实现高性能InP基谐振腔型(RCE)长波长光探测器的几种方案。采用InP 空气隙DBR结构、正入射光、响应波长为1550nm的高灵敏度、高速InP基长波长RCE光探测器,在1510nm波长处获得了59%的量子效率,在器件台面面积仍很大的情况下(50μm×50μm),获得了8GHz的3dB响应带宽。

二维MXenes材料的制备工艺研究现状

MXenes是一种电阻很小且导电能力很强的二维晶体材料,在电池、传感器、电磁屏蔽、医疗方面都具有很大的应用潜能。为了研发制备更多的MXenes,国内外学者开展了许多制备工艺研究和应用的探索。针对MXenes独特的层次结构、化学组成、物理性能,综述了MXenes制备工艺的研究进展,对比分析了每种制备方法的优点和需要进一步解决的问题。指出:在未来的研究中,氟化氢刻蚀法的研究重点是如何提高MXenes的电容性和插层问题;原位刻蚀法对刻蚀时间、温度、环境的要求较高,需要攻克的难点是这些因素的影响机理以及相应的改善措施;电化学腐蚀法制备的MXenes中没有—F官能团,但是研究的重点将是对沉淀物的分离和净化;熔融盐法制备MXenes正是起步阶段,需要进一步的开发和研究。

基于InP/空气隙DBR的长波长RCE光探测器的实验研究

报道了一种长波长的InP基谐振腔(RCE)光探测器。它采用选择性湿法刻蚀。制备出基于InP/空气隙的分布布喇格反射镜(DBR)。并将该结构的反射镜引入RCE光探测器,所制备的器件,在波长1:585μm处获得了约54.5％的峰值量子效率,以及8GHz的3dB响应带宽,其中器件的台面面积为50×50mm2。