半导体硅上激光诱导选择性化学镀铜

利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构。在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进行活化。实验表明,预处理及其后的清洗工艺对选择性镀膜质量影响很大;采用丙酮或硝酸水清洗,有助于获得清晰的微型图元结构。

全固态561 nm黄激光器的研制

通过双波长振荡的理论计算,初步确定了黄激光的基频光1123 nm激光腔的镀膜参数。根据理论计算结果,对谐振腔进行了优化设计,采用选择性镀膜方式,对增益系数较大的1 064、946以及1 319 nm激光进行抑制使其在腔内不能增益起振,同时使得1 123 nm激光可以较容易地在腔内增益起振,采用50 W功率808 nm波长的半导体模块进行泵浦,获得了功率为6.3 W的1123 nm波长激光输出。通过对561 nm激光输出镜镀膜参数的设计,采用KTP晶体倍频,最终获得了3.5W功率的561 nm黄激光输出。