透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照下的量子效率特性研究

研究了透射式GaN光电阴极在正面光照和背面光照两种工作模式下的光电发射特性差异及影响因素,并推导了这两种工作模式下的量子效率理论公式,利用所推导的公式对实验获得的GaN光电阴极量子效率曲线进行了分析。研究结果表明,两种工作模式下光电子的表面逸出几率与光子能量具有不同的依赖关系,背面光照下,光电子将以一个一致的表面逸出几率从表面发射出去,并且短波响应会受到缓冲层及界面特性的影响,总体光电发射效率依赖于阴极表面势垒所决定的平均电子逸出几率。利用所推导的量子效率公式对实验曲线进行拟合,可实现多个阴极参量的评估,这为透射式GaN阴极材料与制备工艺水平的分析提供了重要依据。

利用紫外透射光谱研究透射式GaN光电阴极的材料结构及光学特性

GaN紫外光电阴极是近年发展起来的一种高性能真空紫外探测器件,其中透射式结构作为光电阴极实际应用的工作模式,其多层结构参数及光学特性对阴极的最终光电发射性能有着重要的影响。测试了透射式GaN阴极材料的紫外透射光谱,通过建立透射式GaN阴极样品的透射模型,得到了GaN阴极样品的薄膜厚度、光学吸收系数与透射谱之间的函数关系。计算得到的GaN外延材料的厚度与实际值误差小,吸收系数与已发表数据一致,表明紫外透射光谱法能够准确地实现透射式GaN阴极材料结构及光学特性的评估。

透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化

为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上.

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .

透射式蓝延伸GaAs光电阴极的光电发射特性研究

利用计算光学性能、量子效率和积分灵敏度的理论模型,分别研究比较了我国和ITT典型透射式蓝延伸GaAs光阴极的光电发射特性,包括阴极的光学性质和性能参数。结果表明我国的透射式蓝延伸光阴极积分灵敏度已经达到2 100μA.lm-1,但与ITT的2 750μA.lm-1相比还存在一定的差距。分析的主要原因是一方面是GaAlAs窗口层的厚度和Al组分大小对于短波响应,特别是对蓝延伸起着决定的作用;另一方面阴极性能参数电子扩散长度和后界面复合速率的大小对长波响应和短波响应也有着重要的影响,这些因素都受制于基础工业制造水平的落后。

透射式GaAs光电阴极组件在真空烘烤后表面氧化的XPS分析

介绍了 Ga As光电阴极在高温烘烤后不同深度上 Ga原子和 As原子氧化的 XPS分析结果 ,并对 Ga As中的 Ga原子比 As原子更容易氧化以及 Ga As光电阴极在经过高温烘烤后 。

透射式GaAs光电阴极响应时间的理论分析

本文以光生电子处于非稳态的观点,分析了透射式GaAs光电阴极的响应时间,从理论上解释了C.C.Phillips等人的测量结果。指出透射式GaAs光电阴极是一种可用于时间响应为皮秒量级的良好光电阴极。

透射式GaAs光电阴极研究

介绍了透射式GaAs光电阴极部件的制作技术和Cs、O激活机理;对Cs、O激活的GaAs光电阴极测试结果进行了分析,并指出了存在的问题和原因;讨论了提高GaAs光电阴极灵敏度的重要途径;提出了GaAs光电阴极灵敏度提高的技术方法以及进一步研究的方向。

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究

本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga

透射式碲铷光电阴极的工艺和特性研究

主要介绍对紫外敏感的碲铷光电阴极的工艺和特性研究，采用“分步 重复”和微碲处理等工艺手法，可有效地提高光电阴极灵敏度（≥１５ ｍＡ／Ｗ）和改 善光谱性能（１８５～３２０ ｕｍ）。同时对其日盲性能进行探讨，得出该阴极的日育特性 和暗电流特性优于同类蹄铯、碲铯铷光电阴极的结论。

透射式变掺杂GaAs光电阴极研究

为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活的透射式变掺杂GaAs光电阴极发现,在450nm～550nm波段内,变掺杂GaAs光电阴极仍然具有较高的光谱响应。

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga

真空转移装置中透射式Ag-O-Cs光电阴极的研制

介绍了在真空转移装置中进行透射式Ag-O-Cs光电阴极制作的工艺过程,研究了阴极厚度、银膜氧化、激活温度、Cs量等对阴极性能的影响,制作了性能达到阴极灵敏度20μA/lm以上、光谱响应范围为300～1200nm的光电阴极,将此阴极用于具有1000倍以上增益的微通道板光电倍增管中,整管暗电流小于10nA。

透射式指数掺杂Al_xGa_(1-x)As/GaAs光电阴极光学性能和量子效率仿真研究

为了更好地了解影响透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极性能的因素,利用薄膜光学的矩阵法推导的光学性能函数,以及考虑窗口层光电子贡献作用的透射式指数掺杂AlxGa1-xAs/GaAs光电阴极量子效率公式建模进行仿真,研究了光电阴极中AlxGa1-xAs窗口层、GaAs发射层厚度变化及AlxGa1-xAs窗口层中Al原子数分数的变化对光学性能和量子效率的影响。结果表明:AlxGa1-xAs窗口层厚度的变化和Al原子数分数的变化对光学性能和量子效率的短波区域影响较大,而GaAs发射层的厚度变化对长波和短波区域均有影响。

蓝绿光敏感透射式GaAlAs光电阴极

透射式GaAlAs光电阴极具有量子效率高、暗电流小、稳定性好的特点，是像增强管、光电倍增管、条纹管等真空光电器件中的核心部件。通过调节GaAlAs材料中的Al含量，可以实现针对蓝绿光波段的探测，在水下成像、空间探测、反潜扫雷等领域有着重要的应用前景。

非均匀高掺杂对透射式光电阴极光电发射性能影响研究

研究分析了高掺杂浓度下幂函数掺杂阴极发射层内部形成恒定电场情况,探讨了光电阴极发射层材料内部形成恒定电场对提高透射式光电阴极量子效率中有效电子输运长度、表面电子逸出几率等参量的影响。结合掺杂浓度不同带来的光电子散射问题,对比讨论了传统的均匀掺杂、指数掺杂、幂函数掺杂情况下发射层材料量子效率情况。

GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析

从简化的二维扩散方程出发，推导ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射式阴极的调制传递函数表达式，计算２μｍ厚ＧａＡｓ阴极层的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ透射阴极的理论分辨力特性曲线，并讨论它与若干参数的关系。

透射式半导体光电阴极的制作方法

单晶半导体材料是一种透明的材料,但易受热分解。首先在这种单晶半导体材料制成的扁平基体的一个表面上蒸上一层可以防止基体分解的透明的抗反射材料,然后在能引起基体材料分解的温度下,在基休的另一个表面上外延生长一层或多层单晶半导体材料。后来生长的这种外延层,在入射光激发下能够产生电子。最后,在外延层上再沉积一层降低逸出功的材料。

碲铯紫外光电阴极的工艺研究

本文对反射式紫外光电阴极的制作过程和透射式紫外光电阴极的制作过程进行了较详细的介绍 ;用表格的形式列出了碲铯光阴极的主要特性 ,对远紫外光学石英玻璃和紫外石英玻璃进行了分类 ,给出了光学石英玻璃的牌号与名称。

大电流密度Cs_3Sb光电阴极工艺与寿命的研究

为满足大电流密度电子发射的需要,对锑铯光电阴极的制备工艺进行了研究。设计了一种效率高便于再生的管道铯源。对于绿光(λ=514.5nm)光电阴极量子产额达到2.5%,脉冲工作状态下,发射电流密度可长时间保持1.4A/cm^2。