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银纳米线透明导电薄膜仿真研究现状
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作者 张墅野 邵建航 何鹏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期118-127,共10页
银纳米线薄膜作为新型柔性透明导电薄膜,具有导电性能好、透光率高、成本低和柔性良好等优点。本文从电学、力学和光学三个方面介绍了银纳米线薄膜的仿真原理、仿真工具及发展现状。目前,银纳米线薄膜的电学性能仿真已研究得比较完善,... 银纳米线薄膜作为新型柔性透明导电薄膜,具有导电性能好、透光率高、成本低和柔性良好等优点。本文从电学、力学和光学三个方面介绍了银纳米线薄膜的仿真原理、仿真工具及发展现状。目前,银纳米线薄膜的电学性能仿真已研究得比较完善,能够从微观到宏观尺度建立精确的模型,常用的节点主导假设(JDA)模型、多节点表示(MNR)模型能够较好地模拟、预测银纳米线薄膜的方阻。银纳米线薄膜力学仿真尚未能建立起完美的宏观模型,只能通过分子动力学方法等对单根或多根银纳米线之间的力学性能进行仿真模拟。银纳米线薄膜的光学性能的仿真主要依靠时域有限差分方法来模拟光与材料的相互作用,依靠该方法能够模拟少量银纳米线的光学性能,并且目前已有建立大型复杂银纳米线薄膜光学模型的尝试。此外,多物理场耦合且能够反映整个银纳米线薄膜的光-电-热-力综合性能的仿真模型仍未建立,未来研究者们还需于此继续深耕。 展开更多
关键词 银纳米线 仿真模拟 柔性器件 透明导电薄膜
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射频磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟锡透明导电薄膜性能的影响
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作者 许阳晨 张群 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期169-177,共9页
ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学... ITO薄膜是目前应用最为广泛的透明导电薄膜,通过在ITO中掺杂其他金属可以进一步改善ITO薄膜的光学和电学性能。本文采用射频(RF)磁控溅射法制备了掺钨氧化铟锡(ITO∶W)透明导电薄膜,研究了薄膜厚度、表面形貌、晶体结构以及光学和电学性能与各溅射参数之间的关系。当溅射功率大于40 W时,制备的ITO∶W薄膜为方铁锰矿结构的多晶薄膜,此时薄膜表面光滑平整而且具有良好的结晶性。在基板温度320℃、溅射功率80 W、溅射时间15 min、工作气压0.6 Pa条件下得到了光学和电学性能优良的ITO∶W薄膜,其方块电阻为10.5Ω/、电阻率为4.41×10^(-4)Ω·cm,对应的载流子浓度为2.23×10^(20)cm^(-3)、迁移率为27.3 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)、可见光(400~700 nm)范围内平均透射率为90.97%。此外,本研究还发现通过调节基板温度影响氧元素的状态可以改变ITO∶W薄膜的电学性能。 展开更多
关键词 ITO薄膜 掺钨 透明导电氧化物 射频磁控溅射
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聚合物基透明导电薄膜断裂韧性的测量方法
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作者 周佳丽 张旋 +1 位作者 张晓锋 颜悦 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2024年第2期23-27,32,共6页
在航空透明件领域,厚聚合物基底上透明导电薄膜的断裂韧性是量化抗开裂性的关键力学特性,因此基于纳米压痕和通道开裂试验评估了薄膜的断裂韧性。采用磁控溅射法将氧化铟锡(ITO)薄膜沉积在聚碳酸酯(PC)基底上。纳米压痕试验中,纳米压痕... 在航空透明件领域,厚聚合物基底上透明导电薄膜的断裂韧性是量化抗开裂性的关键力学特性,因此基于纳米压痕和通道开裂试验评估了薄膜的断裂韧性。采用磁控溅射法将氧化铟锡(ITO)薄膜沉积在聚碳酸酯(PC)基底上。纳米压痕试验中,纳米压痕在ITO薄膜上引起脆性断裂,通过对所得的载荷-深度曲线进行积分来计算断裂韧性;通道开裂试验中,使用原位拉伸法获得开裂应变,并结合力学模型计算断裂韧性。结果表明,不考虑残余应力时,2种测试方法获得了相对一致的断裂韧性,500 nm厚ITO薄膜的断裂韧性为1.62~1.81 MPa·m^(1/2);对于200 nm以下厚度的薄膜或存在大残余应力的薄膜,宜选择通道开裂试验以确定断裂韧性。 展开更多
关键词 聚合物基透明导电薄膜 断裂韧性 纳米压痕 通道开裂 原位试验
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基于透明导电薄膜技术的电子玻璃信息显示与交互技术研究
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作者 闫伟蓬 李隽 邢英荣 《科学与信息化》 2024年第10期114-116,共3页
随着信息化时代的到来,人们对于高效便捷的信息展示和交互方式的需求越来越迫切。传统的显示技术已经无法满足这一需求,而基于透明导电薄膜技术的电子玻璃技术为信息显示和交互带来了新的可能性。本文旨在探讨基于透明导电薄膜技术的电... 随着信息化时代的到来,人们对于高效便捷的信息展示和交互方式的需求越来越迫切。传统的显示技术已经无法满足这一需求,而基于透明导电薄膜技术的电子玻璃技术为信息显示和交互带来了新的可能性。本文旨在探讨基于透明导电薄膜技术的电子玻璃信息显示与交互技术的研究进展,以期为相关领域的研究者和工程师提供有价值的参考。 展开更多
关键词 透明导电薄膜技术 电子玻璃 信息显示 交互技术
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用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
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作者 王梦笑 王光红 +3 位作者 赵雷 莫丽玢 刁宏伟 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期16-22,共7页
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对... 提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。 展开更多
关键词 晶硅异质结 太阳电池 透明导电氧化物薄膜 多层tco薄膜 载流子迁移率 功函数
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原子层沉积及其在透明导电薄膜领域的研究与应用
6
作者 段超 李坤 +4 位作者 高岗 杨磊 徐梁格 浩钢 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期1052-1066,共15页
集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧... 集成电路行业器件尺寸不断缩小,表面更复杂,对镀膜提出了更高的要求,而原子层沉积因其保形性和自限制生长的优势而获得了广泛的关注和研究。本文在简要介绍一些常用的镀膜方式基础上,对原子层沉积原理及自限制生长进行了重点介绍。以氧化铟为代表,通过对比分析说明原子层沉积制备薄膜在形貌、成分等方面的优越性,对不同方式制备的常见透明导电薄膜的光电性能进行了总结。详细讨论了原子层沉积的应用范围,包括在大尺寸基底,如大平面和大曲率基底上可以制备高质量薄膜,在小尺寸基底,如粉体、沟槽、微纳结构上仍然有着超高的保形性。最后对原子层沉积制备薄膜的优势进行了总结,对其独特的发展潜力进行了展望。 展开更多
关键词 原子层沉积 透明导电薄膜 镀膜方式 形貌 成分 光电性能
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硅异质结太阳能电池用透明导电氧化物薄膜的研究现状及发展趋势
7
作者 夏鹏 傅萍 +2 位作者 黄金华 李佳 宋伟杰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1-9,共9页
硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因... 硅异质结(SHJ)太阳能电池是目前光伏产业中的重要组成部分,其由于具有高开路电压(V_(oc))等优点而引起了广泛的关注。在硅异质结太阳能电池中,透明导电氧化物(TCO)薄膜层的光学性能和电学性能分别影响着电池的短路电流(J_(sc))、填充因子(FF),进而影响电池的转换效率。近年来,SHJ电池中TCO层的研究主要集中于掺杂的In 2O 3和ZnO体系。本文从硅异质结太阳能电池的不同结构出发,概述了TCO薄膜的光电性能(透过率、禁带宽度、方块电阻、载流子浓度、迁移率和功函数)以及与相邻层的接触对电池性能的影响,介绍了不同体系的透明导电氧化物薄膜在硅异质结太阳能电池中的应用及研究现状,并展望其未来的发展趋势。 展开更多
关键词 硅异质结太阳能电池 背发射极结构 透明导电氧化物薄膜 迁移率
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原子层沉积技术用于红外透明导电薄膜
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作者 段超 李坤 +1 位作者 高岗 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第8期1553-1553,F0004,共2页
二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸... 二十世纪六七十年代,前苏联科学家Aleskovskii和Koltsov首次提出了原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,但受限于沉积效率低、表面化学反应复杂、设备要求较高等因素而未得到发展。二十世纪九十年代以后,集成电路行业器件尺寸不断减小,纵横比不断增大,器件表面更加复杂,镀膜困难程度不断提高。ALD技术以其可自限制生长和共形沉积的特点,在大平面、大曲率基底、小尺寸沟槽及缝隙等复杂三维表面均匀沉积薄膜,甚至可以用于辅助生长纳米催化剂,因而在众多薄膜沉积技术中脱颖而出。 展开更多
关键词 表面化学反应 透明导电薄膜 原子层沉积 纳米催化剂 纵横比 沉积薄膜 三维表面 沉积效率
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金属网格柔性透明导电薄膜研究进展 被引量:2
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作者 黄兵 刘萍 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期140-151,共12页
随着柔性电子器件的发展,柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分,今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、... 随着柔性电子器件的发展,柔性显示器、柔性太阳能电池、柔性传感器等产品已经逐步从实验室走向市场。柔性透明导电薄膜作为柔性光电器件不可或缺的重要组成部分,今后其需求量只会不断增加。目前的光电子器件逐渐向大尺寸、轻薄、柔性、可拉伸、低成本等方面发展。氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)是目前使用最广泛的透明导电薄膜,但ITO制备工艺复杂,具有脆性,且铟是稀有金属,储量少,价格昂贵。因此,研制可替代ITO的高性能柔性透明导电薄膜越来越迫切。目前已有研究人员研制出多种可替代ITO的柔性透明导电薄膜,其中基于金属网格的柔性透明导电薄膜是替代ITO的有力竞争者。金属网格柔性透明导电薄膜展示了极好的光电性能和机械灵活性。它最吸引人的地方在于可以独立改变金属网格的线宽和间距,从而在调节薄膜方阻和透光率方面表现出更好的权衡性。目前,已有大量的研究人员研制出可与ITO媲美的金属网格柔性透明导电薄膜。多数研究者通过光刻技术制作出母版,再结合化学镀或电沉积技术进行导电薄膜制作。以光刻技术为基础制备的柔性透明导电薄膜性能良好,但光刻工艺复杂而且设备昂贵。还有研究人员通过其他技术进行研究,如印刷增材制造技术、静电纺丝技术、光子烧结、模板法等,制备的柔性透明导电薄膜性能良好。其中基于印刷增材制造技术制备的柔性透明导电薄膜已经在触摸屏领域实现产业化,有望进一步发展。本文综述了金属网格柔性透明导电薄膜的研究进展及在光电器件中的应用,包括有机太阳能电池、有机发光二极管等,具体讨论了金属网格透明导电薄膜的基本特性、光电性能、制造技术和器件应用,并点明了其制备方法的优劣性,以期为后续的研究提供参考。 展开更多
关键词 金属网格 柔性透明导电薄膜 太阳能电池 有机发光二极管
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银纳米线柔性透明导电薄膜的制备
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作者 刘晓文 潜飞 +3 位作者 张波 吴美莹 李红斌 张宝华 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1022-1029,共8页
采用多元醇法制备了直径约40 nm、长径比约300的银纳米线.以聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(polyethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate,PETG)膜为基底,采用旋涂法制备了银纳米线柔性透明导... 采用多元醇法制备了直径约40 nm、长径比约300的银纳米线.以聚对苯二甲酸乙二醇酯-1,4-环己烷二甲醇酯(polyethylene terephthalateco-1,4-cylclohexylenedimethylene terephthalate,PETG)膜为基底,采用旋涂法制备了银纳米线柔性透明导电薄膜,探究了不同辅助成膜剂对成膜性能的影响.发现以黄原胶为辅助成膜剂制备的银纳米线薄膜具有较理想的透明性和导电性;银纳米线分散液沉积密度对银纳米线薄膜的透明性和导电性有重要影响,当沉积密度为10 mg/cm2时,银纳米线薄膜的透光率和导电性能最优;弯曲测试结果表明,银纳米线薄膜具有很好的柔韧性. 展开更多
关键词 多元醇法 银纳米线 旋涂法 柔性透明导电薄膜
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柔性AgNWs/PEDOT:PSS-PET透明导电薄膜的制备与性能
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作者 周洋 申志浩 +1 位作者 陈瑨 刘长春 《塑料》 CAS CSCD 北大核心 2023年第5期65-68,共4页
透明导电薄膜由于兼具较高的透光度和较低的电阻率,被广泛地应用在太阳能电池、传感器和柔性OLED等光电子器件中。采用多元醇法制备了长径比约为1 200的银纳米线(AgNWs),并且,与PEDOT∶PSS相结合,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为透明导... 透明导电薄膜由于兼具较高的透光度和较低的电阻率,被广泛地应用在太阳能电池、传感器和柔性OLED等光电子器件中。采用多元醇法制备了长径比约为1 200的银纳米线(AgNWs),并且,与PEDOT∶PSS相结合,以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)为透明导电薄膜基底,通过简单、高效的喷涂工艺制备AgNWs/PEDOT∶PSS-PET复合柔性透明导电薄膜,并且,研究其表面形貌与材料结构。然后,对薄膜进行了后处理,提高薄膜的导电性,并且,利用拉曼(Raman)光谱分析了进行后处理后,薄膜导电性提高的原因。当该复合薄膜在透光率<85%时,其面电阻<50Ω/sq,而且,薄膜的粗糙度仅为11.3 nm。另外,经过700 h的空气气氛放置试验后,薄膜的面电阻基本保持不变,仍具有较好的稳定性。 展开更多
关键词 多元醇法 聚噻吩 银纳米线 透明导电薄膜 聚对苯二甲酸乙二醇酯
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碲化铋红外透明导电薄膜的制备与光电性能(特邀)
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作者 吴易豪 肖雪华 +3 位作者 毕然 李雅丹 郑传涛 王一丁 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第10期150-158,共9页
采用射频磁控溅射法在石英衬底和硒化锌衬底上制备了碲化铋薄膜,分别研究了薄膜厚度、退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和冷场发射扫描电子显微镜,分析了薄膜结构、成分和形貌。结果表明,... 采用射频磁控溅射法在石英衬底和硒化锌衬底上制备了碲化铋薄膜,分别研究了薄膜厚度、退火温度对薄膜微观结构和光电性能的影响。利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪和冷场发射扫描电子显微镜,分析了薄膜结构、成分和形貌。结果表明,退火有利于薄膜的结晶,且不改变晶体的择优取向。傅里叶变换红外光谱测试结果表明,在石英衬底和硒化锌衬底上沉积的薄膜,光学透过率随着薄膜厚度和退火温度的增加而减小,在硒化锌衬底上沉积的薄膜透过波段比石英长,且光学透过率更加稳定。霍尔效应测试结果表明,随着薄膜厚度和退火温度的增加,薄膜的电阻率逐渐减小,最小为1.448×10-3Ω·cm,迁移率为27.400 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.573×1020cm-3。在石英衬底上沉积的15 nm厚的Bi2Te3薄膜,在1~5μm波段的透过率达到80%,退火200℃后透过率达到60%,电阻率为5.663×10-3Ω·cm。在硒化锌衬底上沉积相同厚度的薄膜,在2.5~20μm波段的透过率达到65%,200℃退火后透过率达到60%,薄膜电阻率为9.919×10-3Ω·cm。制备的Bi2Te3薄膜具有优良的光电特性,是红外透明导电薄膜领域理想的候选材料之一,在红外光电子学芯片制备领域有较好的应用前景。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 中红外波段 射频磁控溅射 BI2TE3 光电性能
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金属基叠层透明导电薄膜研究进展
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作者 诸宇飞 方嘉驿 +3 位作者 巫陈浩 王哲 李欣 卢琳琳 《科技创新与应用》 2023年第20期45-48,共4页
金属基叠层透明导电薄膜具有优异的光电性能,合理选择膜层材料,设计膜层厚度,可调整其电导率和折射率,在光电器件领域应用前景广阔。该文结合金属基叠层透明导电薄膜目前的研究工作,综述其选材、制备方法及后续处理,介绍金属基叠层透明... 金属基叠层透明导电薄膜具有优异的光电性能,合理选择膜层材料,设计膜层厚度,可调整其电导率和折射率,在光电器件领域应用前景广阔。该文结合金属基叠层透明导电薄膜目前的研究工作,综述其选材、制备方法及后续处理,介绍金属基叠层透明导电薄膜的相关应用,并对其研究和发展趋势进行展望。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 金属基叠层结构 选材 制备方法 研究进展
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透明导电薄膜(Ⅲ):TCO/M/TCO三层透明导电薄膜 被引量:1
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作者 闫彩波 周艳文 +2 位作者 粟志伟 王鼎 杨东明 《辽宁科技大学学报》 CAS 2021年第4期241-248,共8页
TCO/M/TCO三层透明导电薄膜具有可见光区透光率高、导电性好且超薄的特点,适用于包括柔性基底在内的电子器件的透明导电电极。本文阐述三层透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(TCO/M/TCO)薄膜透光导电原理,厚度设计及其对光电性能的影... TCO/M/TCO三层透明导电薄膜具有可见光区透光率高、导电性好且超薄的特点,适用于包括柔性基底在内的电子器件的透明导电电极。本文阐述三层透明导电氧化物/金属/透明导电氧化物(TCO/M/TCO)薄膜透光导电原理,厚度设计及其对光电性能的影响,金属层的选择及作用机制,溅射氛围和后处理工艺对薄膜性能的影响。 展开更多
关键词 透明导电薄膜 tco/M/tco 金属夹层 减反增透 光电性能
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用MOCVD方法制备ZnO:B透明导电薄膜及其性能优化 被引量:3
15
作者 孟凡英 江民林 +1 位作者 余跃波 胡宇 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期939-943,共5页
采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B_2H_6)的流速,制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微... 采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)方法在石英衬底上生长氧化锌(ZnO)薄膜。改变薄膜材料的生长温度和掺杂气体硼烷(B_2H_6)的流速,制备一系列薄膜样品。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透过率、反射率、电阻率和原子力显微镜(AFM)等测试分析,研究了材料生长温度和B_2H_6流速对薄膜生长速度、微观结构、薄膜晶向、光学透过率、光学禁带宽度、电阻率、表面粗糙度等特征参量的影响,经过优化实验条件,获得薄膜电阻率在10^(-3)Ω·cm量级,可见光区域光学透过率在85%以上,成功制备低电阻率高光学透过率的ZnO透明导电薄膜。 展开更多
关键词 ZnO:B 光学透过率 电阻率 透明导电薄膜(tco) MOCVD
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氧分压对直流磁控溅射制备ZnO:Ga透明导电薄膜特性的影响 被引量:23
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作者 马全宝 叶志镇 +3 位作者 何海平 朱丽萍 张银珠 赵炳辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1113-1116,共4页
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依... 通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(znO:Ga)透明导电薄膜,研究了氧分压对ZnO:Ga透明导电薄膜结构和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明所制备的薄膜具有c轴择优取向的六角多晶结构.ZnO:Ca透明导电薄膜的晶粒尺寸强烈依赖于氧分压的大小,随着氧分压的增大薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,在氧分压为0.30 Pa时沉积的ZnO:Ga薄膜半高宽最小,晶粒尺寸最大.薄膜的电阻率随着氧分压的增大先减小后增大,沉积薄膜的最低电阻率可达3.50×10^(-4)Ω·cm.此外,所有ZnO:Ga薄膜在可见光范围内的平均透射率均超过90%. 展开更多
关键词 ZNO:GA 透明导电氧化物薄膜 磁控溅射 氧分压 光电特性
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微量Mg掺杂对sol-gel制备Zn_(1-x)Mg_xO薄膜结构形貌及其透明导电性的影响 被引量:2
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作者 马德福 胡跃辉 +3 位作者 陈义川 刘细妹 张志明 徐斌 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期15-20,共6页
通过sol-gel旋涂法在石英玻璃衬底上制备了不同Mg掺杂含量的ZnO薄膜,并运用XRD、SEM、UV-VIS、四探针等测试手段分析研究了Mg含量对ZnO薄膜结构及透明导电性的影响。结果表明,掺Mg后薄膜仍保持六方纤锌矿结构并沿(002)方向择优生长,随... 通过sol-gel旋涂法在石英玻璃衬底上制备了不同Mg掺杂含量的ZnO薄膜,并运用XRD、SEM、UV-VIS、四探针等测试手段分析研究了Mg含量对ZnO薄膜结构及透明导电性的影响。结果表明,掺Mg后薄膜仍保持六方纤锌矿结构并沿(002)方向择优生长,随着Mg含量的增加,结晶质量先变好,后变差,(002)峰位先向小角度方向移动,后又往大角度方向回升,薄膜晶粒尺寸变大,尺寸更加均匀,薄膜表面更加平整,当掺杂量增加至3 at%时,薄膜表面开始出现团聚现象;适量的Mg掺杂可提高薄膜可见光透过率和禁带宽度,透过率最高可达88.83%,增加至3 at%时,因散射和缺陷增多,透过率发生显著下降;由于Mg的金属性强于Zn而出现的burstain-Moss效应与缺陷带宽随着Mg含量而变化的共同作用,薄膜带隙出现先宽后窄再变宽的现象;四探针表征显示,Mg掺杂可降低ZnO薄膜的表面电阻,但仍具有较高的电阻率。 展开更多
关键词 透明导电薄膜(tco) Mg含量 溶胶-凝胶 光电性能
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透明导电氧化物薄膜研究进展 被引量:12
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作者 望咏林 颜悦 +2 位作者 沈玫 贺会权 张官理 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F05期317-320,共4页
综述了透明导电氧化物(TCO)薄膜的应用和发展,重点阐述了TCO薄膜的透明导电机理以及制备工艺的最新研究进展,同时对其研究和应用前景进行了展望。
关键词 氧化物薄膜 透明导电机理 制备工艺 ITO AZO
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射频磁控溅射法低温制备ZnO∶Zr透明导电薄膜及特性研究 被引量:16
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作者 张化福 刘汉法 +1 位作者 类成新 袁长坤 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期287-291,共5页
利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响... 利用射频磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。讨论了薄膜厚度对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光电性能的影响。实验结果表明,厚度对ZnO∶Zr薄膜的形貌和电学性能有很大影响。SEM和XRD研究结果表明,ZnO∶Zr薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的C轴择优取向。当厚度为300nm时,薄膜的电阻率具有最小值1.77×10-3Ω.cm。所制备薄膜具有良好的附着性能,其可见光区平均透过率超过92%。 展开更多
关键词 ZnO:Zr薄膜 透明导电薄膜 磁控溅射 薄膜厚度 光电性能
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薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响 被引量:26
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作者 郝晓涛 马瑾 +3 位作者 马洪磊 杨莺歌 王卿璞 黄树来 《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第3期169-174,共6页
铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面... 铝掺杂的氧化锌 (ZnO∶Al)透明导电膜是采用射频磁控溅射法在有机衬底 (Polypro pyleneadipate,PPA)和Corning 70 5 9玻璃上制备的。详细研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Al薄膜具有 (0 0 2 )面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构 ,性能优良的薄膜电阻率在两种衬底上分别为 2 .5 5× 1 0 - 3 Ω·cm和1 .89× 1 0 - 3 Ω·cm ,平均透射率达到了 80 %和 85 %。 展开更多
关键词 ZNO:AL 透明导电 薄膜厚度 柔性衬底 铝掺杂 氧化锌 结构 光学性质 电学性质
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