固溶体晶体中溶质的分布规律——Ⅱ.溴化铊在逐区溶化法生长 KRS-5晶体中的分布

本文研究逐区熔化法生长固熔体晶体 KRS-5时生长条件对晶体中次要成分 T1Br 分布的影响。实验结果表明:熔区长度 l 影响晶体中 T1Br 的有效分凝系数 K_6;晶体的生长速度范围内,T1Br 的原始浓度 C_o=0.420mol 的情况下,K_6=K_o′+0.0015L;熔区移动速度对 T1Br 分布的影响类似于正常凝固法:K_6=K_o′+0.008v;在 T1Br 原始浓度不变的情况下(C_o=0.420m0l),正常凝固生长和区熔法生长的平衡分凝系数K_6′相同。