圆片级气密封装及通孔垂直互连研究

提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DR IE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺相匹配,并在圆片级的基础上完成,可实现互连密度200/cm2的垂直通孔密度。该结构在降低封装成本,提高封装密度的同时可有效地保护MEMS器件不受损伤。实验还对结构的键合强度和气密性进行了研究。初步实验表明,该结构能够满足M IL-STD对封装结构气密性的要求,同时其焊层键合强度可达8MPa以上。本工作初步在工艺方面实现了该封装结构,为进一步的实用化研究奠定了基础。

新型微波毫米波单片三维垂直互连技术

近半个世纪以来,微波电路发展十分迅速,它经历了从低频到高频、从单层到多层的发展历程,最终导致了微波多芯片组件的产生。随着多芯片组件密度的不断提高,互连的不连续性成为制约整体性能的瓶颈。因此,对互连进行仿真和建模,对于微波多芯片组件的设计有着重要的意义。文章以MMIC芯片和介质基板的垂直互连结构作为研究对象,对不连续性结构的散射参数进行了软件仿真优化,并进行了装配、测试和结果分析。

多层微波集成电路中微带线层间互连仿真

针对多层微波集成电路设计的微带线层间互连问题,介绍了垂直通孔互连、垂直带条互连和层耦合过渡互连三种高性能的互连方法,并且采用三维电磁仿真软件HFSS对这三种互连结构进行了建模和仿真。仿真结果表明,垂直通孔互连和垂直带条互连在0.1~25 GHz的频宽范围内,回波损耗S11<-20 d B,插入损耗S21>-1 d B,互连性能优良,而层耦合过渡互连在20~68 GHz内回波损耗S11<-20 d B,插入损耗S21>-1 d B,具有在毫米波频段实现互连的潜力。