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IC设计中的封装问题
被引量:
1
1
作者
肖汉武
《微电子技术》
1999年第6期6-11,共6页
在IC设计中如果没有充分考虑封装需要,可能会带来一些问题,甚或影响IC性能。本文将讨论与IC设计有关的一些封装要求。
关键词
通孔型和表面贴装型封装
气密和非气密
封装
PAD布局
封装
数据库
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职称材料
凌力尔特推出完整的双路降压型DC/DC微型模块稳压器系统LTM4619
2
《电子与电脑》
2009年第9期68-68,共1页
凌力尔特公司(Linear Technology)推出完整的双路降压型DC/DC微型模块(uModule)稳压器系统LTM4619。该系统采用纤巧表面贴装封装,含有电感器和MOSFET。LTM4619在4.5V~26.5V(绝对最大值为28V)的输入电源范围内工作.在每路电...
凌力尔特公司(Linear Technology)推出完整的双路降压型DC/DC微型模块(uModule)稳压器系统LTM4619。该系统采用纤巧表面贴装封装,含有电感器和MOSFET。LTM4619在4.5V~26.5V(绝对最大值为28V)的输入电源范围内工作.在每路电流高迭4A时调节两个输出电压在0.8V~5V范围。
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关键词
DC/DC
稳压器
降压
型
系统
模块
微
型
双路
表面
贴装
封装
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职称材料
BGA再流焊技术
被引量:
4
3
作者
刘正伟
《电讯技术》
北大核心
2004年第1期132-134,共3页
随着科学技术的飞速发展,电子器件封装的小型化技术也得到很大的提高,元器件的组装密度越来越高。IC封装向着集成化、高性能化、多引线、面阵列端子型封装和裸芯片组装方向发展,这已经远远超出传统电路的SMT组装技术。本文着重从BGA器...
随着科学技术的飞速发展,电子器件封装的小型化技术也得到很大的提高,元器件的组装密度越来越高。IC封装向着集成化、高性能化、多引线、面阵列端子型封装和裸芯片组装方向发展,这已经远远超出传统电路的SMT组装技术。本文着重从BGA器件的封装形式、再流焊技术以及检测三方面进行详细讨论。
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关键词
BGA
再流焊技术
电子器件
表面
贴装
型
封装
IC
封装
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职称材料
飞兆半导体推出QFET平面MOSFET
4
《电子设计应用》
2003年第9期97-97,共1页
关键词
出QFET平面MOSFET
标准
表面
贴装
通
孔型
封装
飞兆半导体公司
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职称材料
题名
IC设计中的封装问题
被引量:
1
1
作者
肖汉武
机构
信息产业部无锡微电子科研中心
出处
《微电子技术》
1999年第6期6-11,共6页
文摘
在IC设计中如果没有充分考虑封装需要,可能会带来一些问题,甚或影响IC性能。本文将讨论与IC设计有关的一些封装要求。
关键词
通孔型和表面贴装型封装
气密和非气密
封装
PAD布局
封装
数据库
Keywords
TH and SM package
Hermetic and Non-hermetic packaging
PAD layout
Packaging Database
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
凌力尔特推出完整的双路降压型DC/DC微型模块稳压器系统LTM4619
2
出处
《电子与电脑》
2009年第9期68-68,共1页
文摘
凌力尔特公司(Linear Technology)推出完整的双路降压型DC/DC微型模块(uModule)稳压器系统LTM4619。该系统采用纤巧表面贴装封装,含有电感器和MOSFET。LTM4619在4.5V~26.5V(绝对最大值为28V)的输入电源范围内工作.在每路电流高迭4A时调节两个输出电压在0.8V~5V范围。
关键词
DC/DC
稳压器
降压
型
系统
模块
微
型
双路
表面
贴装
封装
分类号
TN86 [电子电信—信息与通信工程]
TM44 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
BGA再流焊技术
被引量:
4
3
作者
刘正伟
机构
中国西南电子技术研究所
出处
《电讯技术》
北大核心
2004年第1期132-134,共3页
文摘
随着科学技术的飞速发展,电子器件封装的小型化技术也得到很大的提高,元器件的组装密度越来越高。IC封装向着集成化、高性能化、多引线、面阵列端子型封装和裸芯片组装方向发展,这已经远远超出传统电路的SMT组装技术。本文着重从BGA器件的封装形式、再流焊技术以及检测三方面进行详细讨论。
关键词
BGA
再流焊技术
电子器件
表面
贴装
型
封装
IC
封装
Keywords
Electronic device
BGA
Encapsulation
Reflow solder
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
飞兆半导体推出QFET平面MOSFET
4
出处
《电子设计应用》
2003年第9期97-97,共1页
关键词
出QFET平面MOSFET
标准
表面
贴装
通
孔型
封装
飞兆半导体公司
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
IC设计中的封装问题
肖汉武
《微电子技术》
1999
1
下载PDF
职称材料
2
凌力尔特推出完整的双路降压型DC/DC微型模块稳压器系统LTM4619
《电子与电脑》
2009
0
下载PDF
职称材料
3
BGA再流焊技术
刘正伟
《电讯技术》
北大核心
2004
4
下载PDF
职称材料
4
飞兆半导体推出QFET平面MOSFET
《电子设计应用》
2003
0
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职称材料
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