电气产品通孔回流焊工艺研究

随着电气产品向密集化、小型化方向快速发展,表面贴装技术已成为印制电路板(PCB)组装的主流技术,因此通孔回流焊工艺的应用越来越广泛。本文重点从锡膏选型、钢网开孔工艺优化、元器件性能、PCB焊盘设计优化等角度展开研究,并通过实际生产验证了通孔回流焊工艺能够拓展高密度、细间距产品的生产窗口,并解决了锡珠、空洞等焊接问题。该工艺能从多方面替代传统波峰焊工艺,可提升元器件的焊接质量,使焊接可靠性大大提高,为有效推进表贴化工艺、降低生产成本、提高生产效率提供支撑。

GaAs通孔刻蚀ICP工艺研究

采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,Cl2/SiCl4混合气体作为刻蚀气体,对GaAs通孔刻蚀工艺进行了系统的研究。研究发现刻蚀速率与腔室压强,偏压功率,ICP源功率与气体组成相关,通过优化刻蚀条件,在Cl2流量为30sccm,SiCl4流量为12sccm,ICP源功率600W,偏压功率200W,压强12mTorr的刻蚀条件下,其最大刻蚀速率达到8.8μm/min,刻蚀选择比(photoresist:GaAs)可以到达1:21,以供参考。

通孔回流工艺（THR）中的自动贴装方案

本文介绍了一种在通孔回流工艺（THR）中实现插件（THC）自动贴装的方案，提高THR工艺的自动化程度和生产效率。希望给业界同行提供一些参考作用。

基于MEMS器件的玻璃通孔内金属批量化填充制备

基于TGV(玻璃通孔)工艺实现圆片级真空封装的导线互联过程中,进行批量化的玻璃通孔金属填充是产品制备的必然选择。调研了玻璃加工的刻蚀技术,确定使用喷砂工艺制备通孔,基于孔径和形貌设计了两种电镀方案均实现了金属对孔的密封,通过比较2次电镀的时间和形貌,最终确定了双面溅射种子层进行电镀的方案,实现了批量化的TGV工艺制备。

A Practical Backside Technology for Indium Phosphide MMICs

A wet etching process for backside via holes suitable for use on InP MMICs technologies is developed for indium phosphide substrate.PMMA is used to mount InP wafer onto glass carrier.Spattered Ta film is utilized as etch mask.HCl+H 3PO 4 solution realised a etch until a depth of 100μm.It is demonstrated that the wet etching backside process is controllable with large latitudes.

一种改进的穿硅电容三维互连技术

针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。