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高深宽比硅通孔检测技术研究
1
作者
燕英强
吉勇
+2 位作者
明雪飞
陈波
陈桂芳
《电子与封装》
2014年第11期9-12,共4页
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测...
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。
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关键词
深硅刻蚀
白光干涉
侧壁粗糙度
通孔形状
通孔
深度
无损检测
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职称材料
题名
高深宽比硅通孔检测技术研究
1
作者
燕英强
吉勇
明雪飞
陈波
陈桂芳
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2014年第11期9-12,共4页
文摘
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。
关键词
深硅刻蚀
白光干涉
侧壁粗糙度
通孔形状
通孔
深度
无损检测
Keywords
DRIE
white light interference
via sidewall roughness
via shape
via depth
nondestructive inspect
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高深宽比硅通孔检测技术研究
燕英强
吉勇
明雪飞
陈波
陈桂芳
《电子与封装》
2014
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