脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究

基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.

提高晶闸管器件对di/dt的耐受能力的途径

介绍了晶闸管器件的通态电流上升率di/dt参数及其损坏晶闸管器件的机理 ,并进一步介绍了提高晶闸管器件的通态di/dt耐量的设计和工艺方法 ,及应用过程中限制晶闸管阳极电路的电流上升率 。

世界最大容量8kV/3.6kA光控晶闸管

为了适应高压直流输电和反并系统中电力变流器的需要,三菱电子公司开发了152.4mm硅片8 kV/3.6 kA光控晶闸管(LTT)。这种新设计的器件比以前101.6 mmLTT功率控制容量增加了1倍,同时缓和器件容量增大而出现各种问题。