低温下功率MOSFET的特性分析

文章完成了对功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)阈值电压和通态阻抗在77K-300K范围内的实验测试,并结合上述两个参数宽温区的数学模型进行了相应的分析,从实验结果中,我们发现阀值电压随温度的降低略有升高;而通态阻抗随温度的降低则下降得非常明显。通态阻抗是影响功率MOSFET开关损耗的重要参数,所以在低温下功率MOSFET的开关损耗将大幅度下降。

汽车用大电流智能型电源开关(IPS)

富士电机对汽车大功率电动机的控制等所使用的大电流智能电源开关(IPS)进行了开发。因采用沟槽式(trench)结构的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)与控制集成电路(IC)的芯片叠芯片(chip on chip)结构,因此,在小型组件中实现了低通态阻抗(最大值5m)。为达到高的可靠性,配置了过电流和过热检测、低电压检测等保护功能。此外,因采用散热性良好的组件和并联连接时能量分配平衡的优良结构,由低通态阻抗导致电流增加,从而产生温度上升能得到抑制。