军事通用仿真模型及其集成框架研究

分析了仿真模型的建立与实现过程中存在冗余和模型缺乏重用性的问题,论述了通用仿真模型的分类层次和相互关系,提出了建立通用仿真模型体系结构框架的设想和方案。着重阐述了构建通用仿真模型的关键理论和技术,给出了一个通用仿真模型集成框架。

回读FPGA产品的通用仿真模型搭建与验证

为了提高仿真测试人员的工作效率,本文提出了一种通用的回读FPGA产品的仿真模型。在该模型中,仿真测试人员可以根据不同型号的产品进行参数配置,对回读的设计代码进行仿真。仿真结果表明,该模型可以适用于绝大多数的回读产品,仿真测试结果正确,并且可以有效提高仿真测试效率,避免测试人员对各个回读FPGA产品进行模型的重复搭建。

多阶段任务系统通用可靠性仿真模型

归纳了当前多阶段任务系统(PMS,Phased Mission Systems)可靠性建模的基本假设,指出了解析模型描述和求解能力的不足以及仿真模型存在的难以转换的缺点.应用着色Petri网(CPN,Colored Petri Net)Tools建立PMS的多层通用仿真模型:顶层控制模型将PMS各阶段的故障树参数化,作为CPN通用仿真模型的输入;单阶段处理模型根据顶层控制模型的输入判别该阶段顶事件是否发生;底事件处理模型通过比较随机数和故障发生概率的大小产生故障.通用仿真模型可以保持模型结构的稳定,同时又简化了仿真模型的生成.案例对比了CPN仿真模型与二元决策图(BDD,Binary Decision Diagrams)算法的可靠性计算结果,证明了模型的正确性;具有动态变化参数的PMS仿真则说明了模型的适用性.

基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计

采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。

仿真技术在港口管理中的应用文献综述

港口作为进出口贸易的重要通道，港口配置和操作效率直接影响着进出口贸易的物流速度和港口的经济效益，近年来，我国进出口贸易量的大幅增加对港口的机械配置和装卸效率提出更高的要求，港口机械配置和装卸效率的研究方法很多，其中将计算机模拟仿真技术用于港口研究的方法是一种科学有效的新方法。文章综合了20世纪80年代以来国内外对仿真技术在港口应用中研究成果，在此基础上提出已有研究存在的不足及解决办法，以便为港口决策和理论研究提供参考。

包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型

建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。