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通道插件管道MHD效应初步实验结果 被引量:9
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作者 许增裕 潘传杰 +3 位作者 张秀杰 赵丽 张键 杨国骥 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期6-9,共4页
给出了通道插件管道MHD效应的初步实验结果,结果表明:中心区流速分布与数值预测的差别较大,且不同位置的管道截面流速分布不同,在压力平衡孔之间呈周期性变化;宏观的中心区与边缘区流量分配、MHD压降与简化理论预测结果相接近。这些数... 给出了通道插件管道MHD效应的初步实验结果,结果表明:中心区流速分布与数值预测的差别较大,且不同位置的管道截面流速分布不同,在压力平衡孔之间呈周期性变化;宏观的中心区与边缘区流量分配、MHD压降与简化理论预测结果相接近。这些数据将给FCI管道数值分析模型的完善和液态包层设计提供参考。 展开更多
关键词 液态包层 通道插件 MHD效应
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简化理论研究液态包层通道插件流体MHD效应 被引量:4
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作者 许增裕 潘传杰 张秀杰 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期205-208,共4页
基于先前的普通管道中的MHD效应的实验结果和质量守恒定律(或液态流体不可压缩原理)、洛仑磁力定律和电荷守恒定律,再利用有源网络等效方法,发展出一种简化而有效的分析带通道插件(FCI)管道的磁流体动力学(MHD)效应的方法。简化理论预... 基于先前的普通管道中的MHD效应的实验结果和质量守恒定律(或液态流体不可压缩原理)、洛仑磁力定律和电荷守恒定律,再利用有源网络等效方法,发展出一种简化而有效的分析带通道插件(FCI)管道的磁流体动力学(MHD)效应的方法。简化理论预测结果表明:采用FCI可有效地降低MHD压降;FCI的电导率存在一个临界值时,当大于这个值时,中心区流速将小于边界区流速;管道结构、FCI电导率、液态金属种类等存在着一个最佳组合参数,能最有效地减少MHD压降。 展开更多
关键词 液态包层 通道插件 MHD效应
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带通道插件管道流磁流体动力学效应的数值模拟 被引量:2
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作者 毛洁 潘华辰 聂欣 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2011年第4期535-539,共5页
采用二维完全发展流模型对聚变反应堆包层带通道插件和压力平衡槽隙的矩形磁流体管流的MHD效应进行数值模拟,分析速度分布,MHD压降随哈德曼数以及通道插件的电导率的变化规律.与无插件磁流体管流相比,带绝缘通道插件管流MHD压降显著降低... 采用二维完全发展流模型对聚变反应堆包层带通道插件和压力平衡槽隙的矩形磁流体管流的MHD效应进行数值模拟,分析速度分布,MHD压降随哈德曼数以及通道插件的电导率的变化规律.与无插件磁流体管流相比,带绝缘通道插件管流MHD压降显著降低,MHD压降随哈德曼数的增加而减小,通道插件材料的电导率增加MHD压降系数减小.压力平衡槽隙处的回流与通道插件的电导率有关.在宏观上计算结果与实验结果和简化理论结果一致. 展开更多
关键词 管流 通道插件 MHD压降
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液态包层流动通道插件三维MHD效应数值模拟 被引量:1
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作者 许世京 倪明玖 王增辉 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1859-1862,共4页
用直接数值方法对高效液态锂铅包层内的金属流体三维MHD效应进行分析。用投影法对包含洛仑兹力源项的不可压Navier-Stokes方程求解,用相容守恒格式计算电磁力。研究了不同材料的流动通道插件(FCI)对金属磁流体流速、MHD压降和电流流线... 用直接数值方法对高效液态锂铅包层内的金属流体三维MHD效应进行分析。用投影法对包含洛仑兹力源项的不可压Navier-Stokes方程求解,用相容守恒格式计算电磁力。研究了不同材料的流动通道插件(FCI)对金属磁流体流速、MHD压降和电流流线分布的影响。主要分析了以下三种情况:无FCI插件的通道内的流动状况;加入绝缘材料(碳化硅)的FCI插件的通道内的流动状况;加入导电材料制成的FCI插件的通道内的流动状况。验证了包层内部通过加入绝缘的FCI可以有效地降低金属磁流体的MHD压降。对于绝缘FCI压力平衡槽位于侧层的情况,由于压力平衡槽内部电流密度较大,在压力平衡槽位置,有很大的逆流出现。 展开更多
关键词 流动通道插件(FCI) 压力平衡槽 MHD压降
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FCI结构及其电导率对MHD效应影响实验研究 被引量:3
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作者 许增裕 潘传杰 +3 位作者 张秀杰 赵丽 张键 杨国骥 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期122-126,共5页
实验研究了通道插件(FCI)压力平衡孔(PEH)和压力平衡狭缝(PES)结构、绝缘和非绝缘材质对磁流体动力学(MHD)效应的影响,结果表明:带PEH或PES、绝缘或非绝缘材质的FCI产生的流速分布有很大的差异;对MHD压降而言,FCI结构PEHs或PES差异的影... 实验研究了通道插件(FCI)压力平衡孔(PEH)和压力平衡狭缝(PES)结构、绝缘和非绝缘材质对磁流体动力学(MHD)效应的影响,结果表明:带PEH或PES、绝缘或非绝缘材质的FCI产生的流速分布有很大的差异;对MHD压降而言,FCI结构PEHs或PES差异的影响大于FCI绝缘或非绝缘材质差异引起的影响;对流速分布而则刚好相反。二次流引起的局部流速骤增的MHD效应(简称为S-MHD效应)对控制管道内流速分布和降低MHD压降有作用,这些实验结果为弄清FCI的MHD效应机制和液态金属包层设计提供了实验认知与有价值的参考。 展开更多
关键词 液态包层 通道插件 S-MHD效应
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Non-blocking four-port optical router based on thermooptic silicon microrings 被引量:1
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作者 党佩佩 李翠婷 +2 位作者 郑文雪 郑传涛 王一丁 《Optoelectronics Letters》 EI 2016年第4期268-272,共5页
By using silicon-on-insulator(SOI) platform, 12 channel waveguides, and four parallel-coupling one-microring resonator routing elements, a non-blocking four-port optical router is proposed. Structure design and optimi... By using silicon-on-insulator(SOI) platform, 12 channel waveguides, and four parallel-coupling one-microring resonator routing elements, a non-blocking four-port optical router is proposed. Structure design and optimization are performed on the routing elements at 1 550 nm. At drop state with a power consumption of 0 m W, the insertion loss of the drop port is less than 1.12 d B, and the crosstalk between the two output ports is less than-28 d B; at through state with a power consumption of 22 m W, the insertion loss of the through port is less than 0.45 d B, and the crosstalk between the two output ports is below-21 d B. Routing topology and function are demonstrated for the four-port optical router. The router can work at nine non-blocking routing states using the thermo-optic(TO) effect of silicon for tuning the resonance of each switching element. Detailed characterizations are presented, including output spectrum, insertion loss, and crosstalk. According to the analysis on all the data links of the router, the insertion loss is within the range of 0.13—3.36 d B, and the crosstalk is less than-19.46 d B. The router can meet the need of large-scale optical network-on-chip(ONo C). 展开更多
关键词 CROSSTALK DROPS Electric power utilization Insertion losses Network on chip SILICON Silicon on insulator technology Structural optimization
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