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一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
被引量：
1
1
作者
郭维廉
齐海涛
+8 位作者
张世林
钟鸣
梁惠来
毛陆虹
宋瑞良
周均铭
王文新
C.Jagadish
傅岚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1783-1788,共6页
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I...
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.
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关键词
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻
器件
逻辑功能器件
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职称材料
其他
2
《电子设计应用》
2004年第1期118-118,共1页
关键词
多
功能
PicoGate
逻辑
器件
飞利浦电子公司
应用软件
HiCommand软件
日立数据系统有限公司
下载PDF
职称材料
题名
一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
被引量：
1
1
作者
郭维廉
齐海涛
张世林
钟鸣
梁惠来
毛陆虹
宋瑞良
周均铭
王文新
C.Jagadish
傅岚
机构
天津大学电子信息工程学院
中国科学院物理研究所
澳大利亚国立大学
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期1783-1788,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311905)~~
文摘
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应,并发现负电流区负阻效应和光照可改变其IV特性,器件模拟结果和测试结果基本一致.
关键词
异质结双极晶体管
双基区晶体管
三端负阻
器件
逻辑功能器件
Keywords
HBT
DUBAT
three terminal NDR device
logic function devices
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
其他
2
出处
《电子设计应用》
2004年第1期118-118,共1页
关键词
多
功能
PicoGate
逻辑
器件
飞利浦电子公司
应用软件
HiCommand软件
日立数据系统有限公司
分类号
TP332.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP317 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
郭维廉
齐海涛
张世林
钟鸣
梁惠来
毛陆虹
宋瑞良
周均铭
王文新
C.Jagadish
傅岚
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
下载PDF
职称材料
2
其他
《电子设计应用》
2004
0
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职称材料
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