平板光子晶体的全反射遂穿及其偏振特性

为了研究1维平板光子晶体的全反射隧穿效应，采用传输矩阵法进行了TE波和TM波大于全反射角入射1维平板光子晶体时所产生的全反射隧穿效应及其偏振特性的研究。结果表明，TE波和TM波的全反射隧穿峰的频率随平板厚度的增加向低频方向移动；全反射隧穿峰的频率随光子晶体的周期光学厚度的增加而减少。这一结果对认识光子晶体的传输特性是有帮助的。

利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件

优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

InP基共振遂穿二极管研究

在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。

固-液掺杂声子晶体中弹性波的全反射遂穿特性

为了研究固-液掺杂声子晶体中弹性波的全反射遂穿特性,利用转移矩阵法计算了弹性波在大于全反射角入射固-液掺杂声子晶体的透射率。在透射波中发现了全反射遂穿效应。得出了固-液掺杂声子晶体的全反射遂穿效应随入射角的变化特性、随杂质厚度的变化特性、随周期数的变化特性。

基于量子遂穿效应的数字录音资料真实性鉴别

为了进一步探索数字录音资料真伪鉴别的技术,论文在简要介绍现有的录音资料真实性鉴别的相关理论与方法的基础上,探讨了在实际运用中所存在的缺陷,结合量子力学中的隧穿效应机制与量子势阱的投射与折射现象,设计实现了一种新的数字录音资料真实性与原始性鉴别模型与方法。通过仿真证实,该方法具备良好的无监督鉴别能力,能有效解决说话人录音资料的鲁棒性和鉴别误差大等问题,为说话人数字录音资料的真实性和原始性鉴别提供了一个新的研究途径。

量子环的共振遂穿效应

利用非平衡格林函数研究了一维量子环的电子输运特性,在外部电压(阶梯电压)的激励下单端导线与环间有含时的隧穿电流,提出了一种数值法计算有阶梯电压体系的电流,结果表明遂穿电流特性能够反映量子环中电子能谱结构.

选择共振遂穿模型对核反应^(11)B(p,α)2α的反应截面的计算

分析了理论计算11B(p,α)2α核反应截面的重要意义.利用选择共振遂穿模型对11B(p,α)2α的核反应截面进行计算.调出了核势的实部和虚部分别为-54.6Mev和-257.4kev.理论计算和实验测量值在一定程度上符合的很好,进一步说明选择共振遂穿模型是计算有明显峰值的核反应截面的有效方法.

和频过程中的Rabi振荡与Landau-Zener遂穿过程

依据宏观现象与量子物理现象之间的相类似之处,利用干涉原理解释了和频场强度随着传输距离发生类似于原子系统中的Rabi振荡的物理机理,从Landau-Zener遂穿(LZT)的角度揭示了光学参量转换过程中的能量转移机理,以渐进解、解析解的形式详细展示出和频产生过程中的能量转移过程.

微观粒子双方势垒遂穿研究

讨论具有确定能量的一维微观粒子对双方势垒的遂穿问题,计算其透射系数,发现双方势垒的透射系数并不等同于两个单方势垒紧挨在一起时的透射系数,但在一定条件下两者相等;同时也导出了微观粒子遂穿双方势垒时发生共振遂穿的条件,并对计算结果进行了讨论。

电磁场中带电粒子的量子遂穿效应

具有一定能量E的电子(E<V0)沿X轴正方向射向势垒V(x)={V0,0<X<a0,x>a,x<a,则按量子力学原理,电子穿过势垒有一几率T(E,a)。但若同时在0<x<a的区域内有一沿Y轴方向的磁场B和沿X轴方向的电场E,由于电子有自旋磁矩,在磁场B中有一自旋能,它将影响电子的穿透几率;而电子在电场中又具有电势能,它同样也会影响电子的穿透几率。当自旋朝上,电场沿X轴负方向,穿透几率随着磁场和电场的增大而增大;当自旋朝下,电场沿X轴正方向,穿透几率随着磁场和电场的增大而减小。

基于共振隧穿二极管的矢量水声传感器设计

提出了一种基于共振隧穿二极管(RTD)的矢量水声传感器,传感器采用共振隧穿二极管作为敏感元件,共振隧穿二极管布置在传感器结构中柱体的四周边缘.两个反方向变化的基于共振隧穿二极管的振荡器的输出信号通过信号处理电路预处理后输入微处理器,计算出声源水平方位角和声压.分析并设计了基于共振隧穿二极管的振荡电路、矢量水声传感器物理结构以及制作工艺,讨论了传感器信号处理方法.

透射光谱线性空间核学习建模求解多组分浓度

本文对求解多组分体系浓度的分光光度计同时测定法提供了一种建模方法.通过对多组分体系的透射光谱建立光谱线性空间,证明了多组分体系的分子势函数矩阵VM可以转化为对角矩阵,对角矩阵的对角元是单组分势函数的块矩阵Ji.多组分体系透射光谱空间是单组分分子透射光谱函数为基函数、分子数量占比为坐标的线性组合.利用多核学习法确定各单组分体系透射波的占比权重系数,提出了用单组分浓度光量子隧穿软测量模型测定多组分浓度的测量方法.实例验证表明此方法稳定可靠,且能降低计算的复杂性.

电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)

用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。

芬斯勒黑洞矢量粒子的隧穿辐射

尽管Finsler几何框架下的黑洞物理仍然存在很大的挑战,但由于Finsler引力理论有可能解决广义相对论中的一些问题,所以沿此方向的相关工作引起研究人员极大的兴趣。考虑到Finsler几何框架下的一个黑洞解,即Rutz-Schwarzschild黑洞,基于Proca场方程和WKB近似利用量子遂穿方法研究了此Finsler黑洞的矢量粒子隧穿辐射,得到了遂穿率和霍金温度。结果表明,Finsler黑洞矢量粒子的遂穿率与霍金温度不仅与黑洞的质量M有关,还与Finsler黑洞的背景时空的性质ε和矢量隧穿粒子的能量ω有关系。并且发现所得结果与Finsler黑洞的标量粒子和费米子的遂穿结果相同,由此可见Finsler黑洞的遂穿率和霍金温度与辐射粒子的种类无关。

自组装单分子膜在电化学电子转移过程中的应用

综述了自组装单分子膜作为模型体系在电化学电极过程中长程电子转移方面应用的一些重要研究成果。重点介绍了电子转移距离、电活性中心的微环境、膜表面分子的设计和状态等因素对长程电子转移的影响情况。展望了该领域今后的发展方向。

不同晶格常数光子晶体构成的光量子阱中的共振模

用基于平面波的传输矩阵法分析由具有不同晶格常数的光子晶体材料构成的光量子阱结构中的共振模,发现湮没于垒层的阱层能带分离成共振模,且共振模的数目随阱层的厚度变化而改变。提出一种新型的非对称量子阱结构模型,由2块晶格常数不同的光子晶体材料和夹在光子晶体材料中间作为阱层的均匀介电材料构成,并对其中的共振模进行了分析。指出当阱层厚度达到构成垒层的光子晶体晶格常数的一半时出现一个共振模,若继续小量增加阱层厚度将使共振模频率出现红移。最后给出一种基于平面波的传输矩阵法,且对于不同晶格常数的光子晶体量子阱结构均有效的数值模拟方法,可用于研究由三维光子晶体材料或者色散材料组成的光子晶体量子阱结构。

空间光孤子在具有双势垒调制克尔介质中的传播

主要研究空间光孤子在非线性克尔介质的线性折射率受到双势垒调制时的传播行为。采用数值模拟的方法,讨论了在两种不同类型对称双势垒的作用下,单孤子和双孤子的空间传播行为。数值模拟结果显示,在双势垒的作用下,单孤子能表现出摆动、遂穿和导向行为,双孤子能表现出导向行为。因此,通过合理设计诸如调制深度、垒间距、单垒的宽度等双势垒参数以及初始中心偏移和入射角度等入射光束参数,可以实现孤子的捕获和控制。

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.

两耦合玻色-爱因斯坦凝聚体间的量子相干振荡(英文)

理论上考察了两耦合玻色-爱因斯坦凝聚体间的相干原子振荡,我们用时空不能完全分离的波函数去描述囚禁在双磁阱中的玻色-爱因斯坦凝聚体,根据托马斯-费米近似,得到两凝聚体的相位差和布局数随时间的演化方程,应用数值计算的方法,考察了相干原子遂穿和宏观量子自囚禁效应.这些研究结果和采用双模时空分离波函数近似法得到的结果进行了比较.

90nm工艺下nMOS器件最大衬底电流应力特性

研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightlydoped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDDnMOSFET的GIDL(gateinduced drain leakage)电流变化后,发现当器件的栅氧厚度接近1nm,沟长接近100nm时,最大衬底电流应力不是电子注入应力,也不是电子和空穴的共同注入应力,而是一种空穴注入应力,并采用空穴应力注入实验、负最大衬底电流应力实验验证了这一结论.