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砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年
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作者 汪光裕 《应用科学学报》 CAS CSCD 1990年第2期95-102,共8页
本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.
关键词 砷化镓 EL2缺陷 邹氏模型 半导体
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