负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌

本文介绍了一种新的形貌判定准则———配位多面体生长习性法则。首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型，在此基础上提出了晶体形貌判定法则。即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关。显露配位多面体顶点的晶面生长速度快，显露面的晶面生长速度慢，显露棱的晶面生长速度介于两者之间。此外，晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关。显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快。根据此法则成功地解释了γＡｌＯ（ＯＨ）晶体和极性晶体ＺｎＯ，ＳｉＯ２的形貌特征。最后，本文还提出了两种晶体形貌的调制方法，即添加剂调制法和过饱和度调制法。

钨酸盐晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体的形貌

钨酸盐类晶体是重要的闪烁晶体．本文从钨酸盐类晶体中负离子配位多面体的结晶方位和相互联结的稳定性出发，探讨了钨酸盐类晶体中[WO4]2-等负离子配位多面体的结晶方位与晶体结晶形貌之间的关系；认为[WO4]2-四面体与金属阳离子（Ca2＋，Pb2＋，Zn2＋）结合时，由于晶体结构和生长条件（如籽晶取向等）的不同，在晶体各族晶面上的叠合速率和结构取向不同，晶体的结晶形貌迥然有别；四面体的面和梭的法线（L2）所对向的晶面，生长速率慢，顽强显露，均属晶体的板面；四面体的顶角所指向的晶面，生长速率快，显露面积小，经常消失．由此可以合理解释钨酸铅等闪烁晶体的生长特征．最后对ABO4型晶体的结构及习性特征进行了总结归纳．

溶液、熔体中负离子配位多面体生长基元的分布与缔合

根据对晶体生长溶液、熔体拉曼光谱的测试结果,剖析了溶液和熔体中负离子配位多面体的分布及其缔合过程,总结出了不同过饱和溶液和不同过冷度熔体中负离子配位多面体生长基元的缔合形式和维度的规律。在靠近晶体的边界层处已出现与晶体结构相同或相似的大维度生长基元。实验表明,生长基元的分布和缔合与溶液过饱和度和熔体过冷度密切相关,从而提出用拉曼光谱进行实时监控,寻找最佳生长物化条件,优化晶体生长边界层的厚度和大维度生长基元的数量,为选择最佳工艺条件提出理论依据。

负离子配位多面体生长基元和晶体形貌(英文)

本文运用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了负离子配位多面体在异质同构和同质异构晶体中的结晶方位和其形态之间的关系 ,发现晶体的生长习性与负离子配位多面体在不同面族上相互联结的稳定性密切相关。负离子配位多面体以顶角相联最稳定 ,以边相连次之 ,以面相连最不稳定。同时 ,本文用负离子配位多面体生长基元理论模型对极性晶体ZnO和ZnS的生长习性也做了一定的解释。

纳米晶生长习性机理——负离子配位多面体生长基元模型的应用

用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了CdS纳米晶的取向连生和用十二烷硫醇阻止连生的机理 ,以及立方GaP与立方BN ,立方CdS与六方CdS形成核壳结构的异质同构和同质异构实际范例。用 [Ti—O6 ] 8- 八面体相互联结后形成各种不同维度的生长基元的论点解释了TiO2 晶粒的结晶习性及形貌特征。

晶体表面结构和负离子配位多面体生长基元(英文)

本文讨论了晶体表面结构和负离子配位多面体结晶方位的关系。指出了晶体表面结构 ,显示了负离子配位多面体在晶体生长过程中的结晶轨迹。因此 ,运用负离子配位多面体生长基元理论模型 ,晶体的生长机制可以通过对晶体表面结构的分析得以解释。

晶体的生长习性与配位多面体的形态

本文由配位多面体生长习性法则分析了ＺｎＳ，锐钛矿和γＡｌＯ（ＯＨ） 晶体的生长习性。发现ＺｎＳ晶体的各晶面的生长速度为：ｖ（１１１） ＞ ｖ（００１） ＝ ｖ（０１０） ＝ ｖ（１００） ＞ ｖ（１－ １－ １－ ） ；锐钛矿各晶面的生长速度为：ｖ（０１０） ＝ ｖ（００１） ＞ ｖ（１１０） ＞ ｖ（１１１） ；γＡｌＯ（ＯＨ） 晶体各晶面的生长速度为：ｖ（１００） ＞ ｖ（００１） ＞ ｖ（１０１） ＝ ｖ（１１０）＞ ｖ（０１０） 。此结果与在水热条件下观察到的生长习性符合得相当好。指出了当晶体结构中配位多面体只有一种方位时，此晶体的生长习性与配位多面体的形状相类似。即配位多面体顶点指向的方向生长速度快；面指向的方向生长速度慢；棱指向的方向生长速度介于两者之间。此外，本文还指出了ＰＢＣ理论在分析极性晶体的生长习性时存在的缺点。

负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅲ)

本文用负离子配位多面体生长基元理论模型讨论了多型性晶体表面螺旋结构的形成 ,提出在多型性晶体中配位多面体呈层状分布 ,配位多面体的面为层的边界 ,上、下层负离子配位多面体不是呈镜象对称的 ,在三方晶系和六方晶系的晶体中是沿晶轴a、b错开 ,上、下两层负离子配位多面体体呈交叉对应 ,从而达到稳定平衡。晶轴c与负离子配位多面体高次对称轴平行 ,配位多面体往界面叠合是绕着c轴转动的 ,其叠合轨迹为螺旋或同心环结构。从多型性晶体螺旋结构的规律性可以看出 ,晶体生长基元为负离子配位多面体 ,由于负离子配位多面体的面与呈现螺旋结构的晶面平行 ,所以生长速率慢 ,是一个显露面积大的稳态面。螺旋结构只是在该面族上显露。

熔体温度对负离子配位多面体生长基元聚集体结构的影响

据Na2S iO3与BaB2O4晶体和熔体的高温拉曼光谱测试结果综合分析后提出:熔体的温度对负离子配位多面体生长基元相互联结的聚集体结构有影响。在高温熔体中,高电价、离子半径小的阳离子配位多面体往往孤立存在。当熔体过冷度大时,孤立的负离子配位多面体顶角上的氧与低电价、离子半径大的阳离子配位构成大维度的聚集体。同质异构晶体的熔体拉曼谱都显示出相同的孤立负离子配位多面体振动峰。

晶体中负离子配位多面体结晶方位、形变与晶体压电、铁电性

本文研究了压电、铁电晶体中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶体中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的。在铁电晶体中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶体发生顺电-铁电相变,并从这一基本过程出发,对铁电体相变的形成机理进行了讨论。

晶体中负离子配位多面体的结晶方位与晶体形貌

本文研究了晶体中负离子配位多面体的结晶方位与在各个面族上联结的稳定性 ,讨论了晶体各个面族的显露机率与表面结构的关系。提出了稳态面一般是以面相联结的 ,其稳定性差 ;以顶角相联结的面族生长速率快 ,一般显露面积较小或消失 ;以棱相联结时生长速率居于两者之间 ,经常显露 ,但显露面积不大。晶体表面结构花纹特征显示出负离子配位多面体往界面上迭合的轨迹 ,例如人工水晶c( 0 0 0 1 )面上的三方锥面 ,它是 [Si O4]4 四面体构成的共轮螺旋环在c( 0 0 0 1 )面的投影 ,故该面显三方结构 ,其结晶方位与晶体左右形一致。晶体表面结构上螺旋花纹一般都在稳态面上出现 ,例如CdI2 ,CdCl2 晶体 ,它们与 [Cd I6]4 ,[Cl I6]4 八面体在晶体中的结晶方位相同 ,在 [0 0 0 1 ]面上都是以八面体的面相联结 ,故稳定性差 ,生长速率慢是稳态面。由于相比邻的八面体 ,在[0 0 0 1 ]方向是以面相联 ,故八面体中的阳离子相斥 ,促使八面体相互沿a轴方向错动 ,其错动轨迹构成螺旋结构或同心圆结构。同理 ,SiC晶体在c( 0 0 0 1 )面上螺旋花纹也屡见不鲜 ,但在其它生长快的面族上则螺旋结构花纹从未见显露。

负离子配位多面体生长基元与晶体表面结构(Ⅰ)水晶(SiO_2),闪锌矿(ZnS),碘化镉(CdI_2)

本文用负离子配位多面体生长基元理论模型研究了水晶（ＳｉＯ２）、闪锌矿（ＺｎＳ）和碘化镉（ＣｄＩ２）晶体表面结构的形成，指出晶体的表面结构是负离子配位多面体在晶体表面的迭合轨迹，把晶体的表面结构与内部结构由表及里的有机联系起来。

次级键与晶体中锑(III)螯合物配位多面体研究

考虑立体活性孤对电子附近次级键配位原子的贡献,对文献报道的三十个氨基多羧酸锑(III)螯合物的晶体结构中配位多面体描述进行了全面的修正.配位多面体的几何构型指定采用了单位球内截多面体的两面角判据及其相关的ANVPDA程序.所有配位多面体几何构型的修正均得到了键价计算的有力支持.

氧化物晶胞参数和配位多面体几何要素的关系

氧化物矿物中的化学键主要是离子键，结构可看成配位多面体以不同方式相连形成，因此，晶胞参数可用配位多面体几何要素表示，这样求得的晶胞参数与实测晶胞参数间的相对误差一般在百分之几。

Na〔Sb(cdta)〕·3H_2O的晶体结构与缺位配位多面体

报道Na[Sb（cdta）]·3H2O（cdta=1，2-环二胺四乙酸）的晶体结构并着重讨论了Sb（Ⅲ）原子的畸变五角双锥配住多面作的描述问题。根据分子力学计算，孤对电子不同取向引起的能量变化与一般氢键键能大小在同一数量级。基于缺位配位多面体的结构参数，对Sb-cdta，－edta和-Pdta等螯合物系列的螯合强度与抗肿瘤活性的关联进行了讨论指出Sb—N平均键长＞2．32与N…NJ距离＞2．88可作为这类Sb（Ⅲ）螯合物呈现抗肿瘤活性的直接判据。晶体数据：C14H24N2NaO11Sb，Mr=541，09，单斜晶系，空间群个可观测衍射用于最小二乘修正，最终偏离因子R=0．051。

配位多面体的群重叠积分

本文讨论了配位多面体的群重叠积分计算问题,给出了这种群重叠积分的一般形式以及它们满足的一些关系。用第一类点群将群重叠积分的计算化简,由此定义了有关的几何参数并研究了它们的性质。以正六面体为例说明了这些参数的具体计算。

配位多面体生长机理模型与晶体的生长习性

从阴、阳离子在界面上互相配位的角度介绍一种新的生长机理模型——配位多面体生长机理模型.指出了生长基元进入晶格的驱动力为离子之间的静电引力,其相对大小由界面上的离子络合母相中一个离子后的静电键强近似测定.讨论了NaCl,ZnS,CaF2和CsI晶体的生长习性,提出了一种新的生长习性规则.即当晶体的生长速度由台阶产生速度决定时,晶体的生长习性与晶体结构中配位能力最小的离子在界面上的配位数有关,离子在界面上的配位数越小,该晶面的生长速度越快.当晶体生长依靠台阶移动速度时,晶体的生长习性与晶体结构中配位能力最小的离子在界面上的密度有关,在界面上离子的密度越小,该晶面的生长速度越快.

晶体中正负配位多面体的结晶方位与晶体形貌

一、前言晶体的结晶形貌是由晶体内部结构所决定的,而生长时的物理、化学条件也有一定的影响。因此,研究晶体的生长机理应从晶体内部结构入手,同时还要研究生长时的物理、化学条件的作用。

论硅酸盐晶体结构中配位多面体的功能性替代

硅酸盐的比较晶体化学研究表明,在某些含钛（锆）的硅酸盐的晶体结构中,有Ti—O（Zr-O）八面体和四方单锥对Si-O四面体的功能性替代现象存在.因此它们可以称为钛硅酸盐和锆硅酸盐.比较方石英与钙钛矿、长石与石榴石的晶体结构,情况类似,也表明存在四面体SiO4（AlO4）被八面体SiO6（AlO6）功能性替代的现象.作为一个新概念,提出了配位多面体功能性替代以利对比有关的晶体结构.

福建物构所稀土发光超分子多面体配位自组装研究取得进展

配位超分子化学的发展为合成化学、催化、材料科学等领域的基础研究提供了广阔平台。强发光和高量子产率的简单镧系稀土配合物和稀土MOF材料已被大量报道,但如何提高具有较大尺寸和三维复杂结构的多核稀土配位多面体这一类超分子组装体的发光性能却面临挑战。