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纳米SnO_2的制备及其酒敏性能研究 被引量:10
1
作者 娄向东 王晓兵 +2 位作者 刘淑萍 贾晓华 梁慧君 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第10期39-41,44,共4页
以SnCl4为原料的化学共沉淀法、sol-gel法和以金属Sn粒为原料的溶解–热解法分别制备出纳米SnO2粉体。采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明:采用溶解–热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在210... 以SnCl4为原料的化学共沉淀法、sol-gel法和以金属Sn粒为原料的溶解–热解法分别制备出纳米SnO2粉体。采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明:采用溶解–热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在210℃的工作温度下,对0.005%的乙醇具有160倍的高灵敏度,响应恢复时间仅1s的优良特点。讨论了影响材料气敏性能的因素。 展开更多
关键词 电子技术 溶解-热解法 SNO2 纳米材料 酒敏性能
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敏感层涂敷方法对ZnO基传感器酒敏性能的影响 被引量:2
2
作者 王真真 王文闯 +3 位作者 田永涛 屈文偲 何豪 李新建 《郑州大学学报(理学版)》 CAS 北大核心 2015年第2期83-87,共5页
利用简单的化学溶液生长法合成了棒状Zn O纳米材料,采用原位生长法和粉体涂敷法将其包覆在氧化铝陶瓷管上,构成Zn O基气体传感器,并用静态配气法测试其酒敏性能.两种方法制备的传感器最佳工作温度均为300℃,且响应和恢复时间均小于10 s... 利用简单的化学溶液生长法合成了棒状Zn O纳米材料,采用原位生长法和粉体涂敷法将其包覆在氧化铝陶瓷管上,构成Zn O基气体传感器,并用静态配气法测试其酒敏性能.两种方法制备的传感器最佳工作温度均为300℃,且响应和恢复时间均小于10 s.灵敏度随着酒精浓度的升高都近似线性增大.对于不同浓度的酒精,采用粉体涂敷法制备的传感器灵敏度约为原位生长所制备传感器的两倍.结果表明不同的涂敷方法将形成不同的敏感层结构,最终导致其气敏性能明显不同. 展开更多
关键词 化学溶液法 ZN O纳米棒 酒敏性能
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制备方法及原料对CdS酒敏性能的影响
3
作者 娄向东 刘淑萍 师东阳 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期564-566,569,共4页
采用不同的方法和原料制得不同晶型CdS微粒,制成气敏元件对其进行测试,实验表明CdS样品对乙醇都有很好的灵敏度和选择性,但原料及晶型对CdS的酒敏性有一定影响。
关键词 CDS 酒敏性能 制备方法 晶型
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退火温度对NdFeO_3微结构及酒敏性能的影响 被引量:1
4
作者 吴占雷 胡季帆 +2 位作者 赵玛 韩周祥 张茹 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期34-37,共4页
采用sol-gel法制备了具有单一斜方钙钛矿结构的NdFeO3样品,研究了退火温度对NdFeO3样品的晶格常数、微结构、电性能及酒敏特性的影响。结果表明:随着退火温度的提高,样品的晶胞体积减小,晶粒度变大,利用该样品制成的气敏元件的电导也随... 采用sol-gel法制备了具有单一斜方钙钛矿结构的NdFeO3样品,研究了退火温度对NdFeO3样品的晶格常数、微结构、电性能及酒敏特性的影响。结果表明:随着退火温度的提高,样品的晶胞体积减小,晶粒度变大,利用该样品制成的气敏元件的电导也随之增大。800℃退火的样品显示出最佳酒敏特性,元件对体积分数为5×10–4的乙醇的最大灵敏度高达151.69,不同退火温度的样品均显示出较好的低温(90℃左右)工作特性。 展开更多
关键词 NdFeO3 退火温度 微结构 性能 酒敏性能
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纳米SnO2对CO的气敏性能研究 被引量:1
5
作者 梁慧君 张静 +1 位作者 娄向东 王晓兵 《新乡学院学报》 2008年第1期37-39,共3页
利用以SnCl4为原料的化学共沉淀法、溶胶-凝胶法和以金属Sn粒为原料的溶解-热解法分别制备出纳米SnO2粉体,研究了不同方法制备材料对CO的气敏性能。采用XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明,采用溶... 利用以SnCl4为原料的化学共沉淀法、溶胶-凝胶法和以金属Sn粒为原料的溶解-热解法分别制备出纳米SnO2粉体,研究了不同方法制备材料对CO的气敏性能。采用XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明,采用溶解一热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在180℃的工作温度下对0.1%的CO具有4.5倍的高灵敏度。 展开更多
关键词 溶解-热解法 SNO2 纳米材料 酒敏性能
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ZnO纳米阵列结构酒精气敏特性研究
6
作者 曹磊 丁继军 《西安工业大学学报》 CAS 2016年第9期705-708,共4页
为了提高ZnO气敏元件对酒精蒸汽的气敏响应,改善气敏元件的稳定性及耐久性,文中采用化学水热法在预处理后的陶瓷管电极表面生长ZnO纳米阵列材料,通过退火处理后得到薄膜ZnO气敏元件.借助X射线衍射仪和扫描电子显微镜对所得产物的晶体结... 为了提高ZnO气敏元件对酒精蒸汽的气敏响应,改善气敏元件的稳定性及耐久性,文中采用化学水热法在预处理后的陶瓷管电极表面生长ZnO纳米阵列材料,通过退火处理后得到薄膜ZnO气敏元件.借助X射线衍射仪和扫描电子显微镜对所得产物的晶体结构和形貌进行表征.采用静态配气法对其进行不同浓度(1×10-4,2×10-4,5×10-4,1×10-3)的酒精蒸汽气敏性能测试.实验结果表明:该结构为分散均匀的ZnO纳米线阵列状结构,该纳米结构薄膜气敏元件具有较好的气敏性能,具有较快的响应及恢复.随环境中酒精蒸汽浓度的增加,其气敏性能逐步提升,在5×10-4酒精蒸汽气敏浓度下气敏性能达到峰值.不同浓度条件下,气敏响应及恢复时间不同,在1×10-4条件下度响应时间最快,1×10-3浓度下恢复时间最快,2×10-4浓度下响应恢复时间最均衡. 展开更多
关键词 ZNO 纳米线阵列 酒敏性能 薄膜元件
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Zn2SnO4气敏材料的共沉淀法制备及其氧化物掺杂改性 被引量:3
7
作者 刘凤敏 钟铁钢 +2 位作者 梁喜双 全宝富 卢革宇 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2009年第B11期105-106,共2页
新型复合材料Zn_2SnO_4具有良好的气敏性,文献鲜有报道Zn_2SnO_4材料的制备以及氧化物掺杂改性;因此采用液相共沉淀法制备了Zn_2SnO_4粉体材料,利用X射线衍射仪(XRD)对合成的材料的结构进行了表征;通过固相反应制备了MnO_2,Li_2O掺杂的Z... 新型复合材料Zn_2SnO_4具有良好的气敏性,文献鲜有报道Zn_2SnO_4材料的制备以及氧化物掺杂改性;因此采用液相共沉淀法制备了Zn_2SnO_4粉体材料,利用X射线衍射仪(XRD)对合成的材料的结构进行了表征;通过固相反应制备了MnO_2,Li_2O掺杂的Zn_2SnO_4粉体,对旁热式气敏元件的性能进行了测试。实验发现Zn_2SnO_4是一种性能优良的酒敏材料,氧化物掺杂剂MnO_2和Li_2O的加入明显提高了材料对乙醇气体的灵敏度和选择性,质量百分含量为0.5%的Li_2O的掺杂量可以使元件对于体积分数为50×10^(-6)的乙醇气体灵敏度达到150. 展开更多
关键词 锡酸锌 共沉淀法 酒敏性能
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