地开石-醋酸铯插层复合物的制备及机理

采用机械研磨法制备地开石-醋酸铯插层复合物,利用TG-DTA,FTIR,XRD和FESEM表征并分析该插层复合物的形成过程。XRD结果显示地开石的层间距d(002)由0.72nm增至1.42nm,表明醋酸铯已成功进入地开石层间;FTIR谱显示新增3603cm^(-1)峰表明醋酸根离子与地开石内表面羟基形成氢键,新增3548cm^(-1)峰表明有部分水进入地开石层间;TG-DTA结果分析表明,插层复合物在110℃以下可以稳定存在,脱羟基温度降低180℃;FESEM研究表明:地开石骨架清晰,插层后形貌未发生大的变化。结合理论计算,推断水与醋酸铯分子一起进入地开石层间,与地开石内表面羟基相结合,并建立醋酸铯插层地开石的机理模型。

高纯醋酸铯的制备

阐述了用铯铝钒与冰醋酸或醋酸盐合成制备高纯醋酸铯的工艺方法,并对其部分物理性质做了简单测定。

利用Cs基衍生物作为n型掺杂剂改善蓝色有机发光二极管的效率(英文)

利用两种Cs基衍生物碳酸铯(Cs2CO3)和醋酸铯(CH3COOCs)作为n型掺杂剂掺入到一种新型的电子传输材料2,9-二(2-萘基)-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(NBPhen)中来提高有机发光二极管(OLEDs)的效率.实验结果表明:器件的驱动电压明显降低,并且优化后得到的Cs基n型掺杂器件(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/NBPhen:Cs2CO3(or CH3COOCs)/Al)呈现出较好的电致发光性能,在14 V时电流密度分别为551.80和527.88 mA·cm-2,对应的亮度分别达到39750和39820 cd·m-2,电流效率在亮度为10000 cd·m-2时分别为14.60 cd·A-1(Cs2CO3掺杂)和14.40 cd·A-1(CH3COOCs掺杂),这些参数明显优于传统器件的发光性能(ITO/β-NPB/CBP:5%(w)N-BDAVBi/NBPhen/Cs2CO3/Al,其在14 V时电流密度为312.39 mA·cm-2,对应的亮度为25190 cd·m-2;电流效率在亮度为10000 cd·m-2时为9.45 cd·A-1.此外,基于有机半导体掺杂原理和器件的能级结构对n型掺杂器件效率提高的原因进行了分析.