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重合位置点阵特征参数测定的新方法
1
作者 戎咏华 彭珉 胡赓祥 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期508-508,共1页
重合位置点阵特征参数测定的新方法戎咏华彭珉胡赓祥MingGaoandRobertP.Wei(上海交通大学材料科学系,上海200030)(Dept.ofMechnicalEngineringandMechanicsLe... 重合位置点阵特征参数测定的新方法戎咏华彭珉胡赓祥MingGaoandRobertP.Wei(上海交通大学材料科学系,上海200030)(Dept.ofMechnicalEngineringandMechanicsLehighUniversity,Be... 展开更多
关键词 重合位置点阵 晶界 晶粒 特征参数 测定
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取向硅钢二次再结晶机理研究的进展 被引量:21
2
作者 赵宇 何忠治 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期79-90,共12页
取向硅钢二次再结晶的机理是涉及到材料的成分及热轧、冷轧、初次再结晶退火和最终高温退火等一系列工艺过程的复杂问题。几十年来,许多冶金工作者曾在这一领域进行了大量的研究工作,并取得了很大进展。近年来,由于实验技术的进步,更加... 取向硅钢二次再结晶的机理是涉及到材料的成分及热轧、冷轧、初次再结晶退火和最终高温退火等一系列工艺过程的复杂问题。几十年来,许多冶金工作者曾在这一领域进行了大量的研究工作,并取得了很大进展。近年来,由于实验技术的进步,更加深了对这一问题的认识。本文在对有关的早期工作进行简要回顾总结的基础上,重点对近年来的一些最新研究结果以及提出的新理论做了较为系统的介绍。 展开更多
关键词 取向硅钢 二次再结晶 重合点阵晶界
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异步叠轧(AARB)铜板再结晶的研究 被引量:4
3
作者 吴承玲 史庆南 +1 位作者 王军丽 张坤华 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期81-83,共3页
对七道次异步叠轧铜板采用220℃×30 m in和220℃×40 m in两种工艺进行退火,运用背散射电子衍射技术对两种铜板的再结晶程度、织构和晶界特征分布进行了研究。结果表明,经220℃×40 m in退火处理后,铜板的再结晶较完全,其... 对七道次异步叠轧铜板采用220℃×30 m in和220℃×40 m in两种工艺进行退火,运用背散射电子衍射技术对两种铜板的再结晶程度、织构和晶界特征分布进行了研究。结果表明,经220℃×40 m in退火处理后,铜板的再结晶较完全,其织构为明显的{100}〈001〉立方织构;而经220℃×30 m in退火处理后,铜板内仍存在晶体缺陷,其织构为{123}〈412〉轧制织构及少量的{100}〈001〉立方织构。晶界特征分布图表明晶界都主要分布在Σ1、Σ3、Σ7、Σ9和Σ11位置上,采用220℃×40 m in退火处理后铜板中各主要晶界的含量明显高于采用220℃×30m in退火后的。 展开更多
关键词 异步叠轧(AARB) 铜板 再结晶 背散射电子衍射技术(EBSD) 重合点阵(CSL)
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织构间位向关系的矩阵分析方法 被引量:2
4
作者 林一坚 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期46-49,共4页
介绍了织构间位向关系的矩阵分析方法。晶体的位向关系可以用围绕某一晶体学方向旋转一定的角度来表示。根据空间解析几何中的刚体定点转动原理所导出的矩阵分析式,可以很方便地利用计算机完成分析工作。实际应用结果表明,这个方法与... 介绍了织构间位向关系的矩阵分析方法。晶体的位向关系可以用围绕某一晶体学方向旋转一定的角度来表示。根据空间解析几何中的刚体定点转动原理所导出的矩阵分析式,可以很方便地利用计算机完成分析工作。实际应用结果表明,这个方法与以往的极图分析法相比较,具有简便易行的明显优点,特别是能够很方便地检验出不同织构间所存在的与某些重合点阵关系相符或相近的特殊位向关系。 展开更多
关键词 织构 位向关系 重合点阵 矩阵分析 晶体
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金属材料晶界工程研究进展 被引量:19
5
作者 陈善华 吴杰 +2 位作者 管登高 邹丛沛 邱绍宇 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期1-6,共6页
利用晶界工程技术能够显著提高金属材料的力学、化学及磁学性能,因此,晶界工程已成为金属材料研究的一个重要领域。本文对晶界工程的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这一研究领域的发展概况,并提出了未来的进一步研究方向。
关键词 晶界工程 晶界特征分布 重合位置点阵 形变热处理工艺
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取向硅钢初次再结晶组织结构的研究 被引量:16
6
作者 吴学亮 刘立华 +3 位作者 史文 李莉娟 贾金龙 翟启杰 《上海金属》 CAS 2010年第3期28-33,共6页
研究了取向硅钢在初次再结晶过程中的组织和结构变化,包括晶粒长大情况、取向差、重合位置点阵(CSL)及织构的变化。研究表明,820℃盐浴再结晶退火3 s时即完成再结晶,随即发生晶粒长大。在初次再结晶的开始阶段,主要织构是{111}<112&... 研究了取向硅钢在初次再结晶过程中的组织和结构变化,包括晶粒长大情况、取向差、重合位置点阵(CSL)及织构的变化。研究表明,820℃盐浴再结晶退火3 s时即完成再结晶,随即发生晶粒长大。在初次再结晶的开始阶段,主要织构是{111}<112>、{100}<110>和弱的高斯织构;随着退火时间增加,{100}<110>织构和高斯织构逐渐减弱,{111}<112>织构先增强后减弱,并向{111}<110>和{111}<231>转化,退火3 min以后出现的{012}<001>织构是一种促进二次再结晶发展并最终有利于提高二次再结晶磁感和降低铁损的织构。退火时间增加到3 min以后,CSL的∑3晶界比例增加。退火时间增加到30 min时,CSL的∑1晶界比例增加,同时,小角度晶界比例提高,大角度晶界减少。 展开更多
关键词 取向硅钢 初次再结晶 织构取向差 重合位置点阵
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Texture Analysis of Damascene Copper Interconnects 被引量:2
7
作者 王晓冬 吉元 +4 位作者 钟涛兴 李志国 夏洋 刘丹敏 肖卫强 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1136-1140,共5页
Texture and grain boundary character distribution of Cu interconnects with different line width for as-deposited and annealed conditions were measured by EBSD. All specimens appear mixed texture and (111) texture is... Texture and grain boundary character distribution of Cu interconnects with different line width for as-deposited and annealed conditions were measured by EBSD. All specimens appear mixed texture and (111) texture is the dominate component.As-deposited interconnects undergo the phenomenon of self-annealing at RT,in which some abnormally large grains are found. Lower aspect ratio of lines and anneal treatment procured larger grains and stronger (111) texture. Meanwhile, the intensity proportion of other textures with lower strain energy to (111) texture is decreased. As-deposited specimens reveal (111)(112? and (111) (231) components, (111) (110) component appeared and (111) (112? and (111) (231) components were developed during the annealing process. High angle boundaries are dominant in all specimens, boundaries with a misorientation of 55°-60° and ∑3 ones in higher proportion, followed by lower boundaries with a misorientation of 35°-40° and 29 boundaries. As the aspect ratio of lines and anneal treatment increase,there is a gradual in- crement in ∑3 boundaries and a decrease in ∑9 boundaries. 展开更多
关键词 Cu interconnects TEXTURE MISORIENTATION coincident site lattice boundaries EBSD
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大变形退火超细晶铜中的晶界特征分布 被引量:3
8
作者 周蕾 史庆南 +1 位作者 蔡晓兰 王军丽 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第6期25-30,共6页
采用背散射电子衍射(EBSD和透射电镜(TEM)研究了纯铜大变形异步累积叠轧与再结晶过程中的低重合位置点阵(ΣCSL)晶界演化过程。研究表明:纯铜在600℃长时间均匀化退火时,形成大量较长的平直共格Σ3晶界,并作为大角度晶界阻碍晶粒的异常... 采用背散射电子衍射(EBSD和透射电镜(TEM)研究了纯铜大变形异步累积叠轧与再结晶过程中的低重合位置点阵(ΣCSL)晶界演化过程。研究表明:纯铜在600℃长时间均匀化退火时,形成大量较长的平直共格Σ3晶界,并作为大角度晶界阻碍晶粒的异常长大;在随后的大变形异步累积叠轧中,随着晶粒转动,形变组织的形成,低ΣCSL晶界的逐渐减少;再结晶退火中形成大量超细孪晶,同时形成大量Σ3特殊晶界,并与高ΣCSL晶界反应,形成大量低ΣCSL晶界,Σ1小角度晶界迅速增多,阻断一般大角度晶界网络,表明Σ3晶界的反应是大变形+退火纯铜晶界特征分布(GBCD)的优化机制。 展开更多
关键词 异步累积叠轧 再结晶 重合位置点阵 晶界特征分布
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晶界设计在多晶体金属材料中的应用 被引量:2
9
作者 吴杰 陈善华 +3 位作者 卢伢 管登高 邹丛沛 邱绍宇 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期89-93,共5页
对多晶体金属材料的晶界结构进行设计,能够显著提高这类材料的力学、化学及磁学性能。因此,晶界设计已成为金属材料改性的一项重要技术。对晶界设计的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这项技术的应用研究概况,并提出了未来的... 对多晶体金属材料的晶界结构进行设计,能够显著提高这类材料的力学、化学及磁学性能。因此,晶界设计已成为金属材料改性的一项重要技术。对晶界设计的基本理论进行了介绍,在此基础上综述了近年来这项技术的应用研究概况,并提出了未来的进一步研究方向。 展开更多
关键词 晶界设计 重合位置点阵 形变热处理工艺
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晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响 被引量:2
10
作者 白琴 边璐 +4 位作者 赵清 王宝顺 杨晨 夏爽 周邦新 《腐蚀与防护》 CAS 北大核心 2019年第10期705-709,共5页
通过生产用冷拔机对镍基合金管材Incoloy825进行冷拔后退火的晶界工程(GBE)处理,采用晶间腐蚀试验研究了晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响。结果表明:使用工厂生产设备GBE处理后,能够使Incoloy825合金中的低∑CSL晶界... 通过生产用冷拔机对镍基合金管材Incoloy825进行冷拔后退火的晶界工程(GBE)处理,采用晶间腐蚀试验研究了晶界工程处理对Incoloy825合金耐晶间腐蚀性能的影响。结果表明:使用工厂生产设备GBE处理后,能够使Incoloy825合金中的低∑CSL晶界(晶界两侧晶粒重合位置点阵密度的倒数不超过29)比例提高到75%以上,并显著改善其耐晶间腐蚀性能;GBE处理后Incoloy825合金中形成的大量相互连接的∑3-∑3-∑9和∑3-∑9-∑27等∑3^n类型三叉晶界是其耐晶间腐蚀性能提高的主要原因。 展开更多
关键词 晶界工程(GBE) 晶间腐蚀 重合位置点阵(CSL)晶界 形变 热处理
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CVD-W的晶界结构及其对塑性形变的影响
11
作者 孙红婵 李树奎 +2 位作者 侯岳翔 鲁旭东 郭伟 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期76-78,共3页
为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>... 为研究化学气相沉积纯钨(CVD-W)的沉积组织生长对晶界结构的影响,以及晶界结构对塑性形变的影响;采用电子背散射技术观察CVD-W的微观组织,分析晶界结构;采用Hopkinson压杆系统进行高应变率压缩试验。结果表明:CVD-W具有显著的<001>晶粒择优取向,晶界呈现Σ3、Σ5等低重合位置点阵的晶界结构特征,其中Σ3具有最高的出现频率;其高应变下的屈服应力明显低于其他制备方法获得的纯钨材料。研究认为由于CVD-W在界面上具有较多的重合位置,晶界处晶格吻合较好,畸变程度低,界面能较低,而且由于低ΣCSL晶界特点,晶界多是由位错构成的;另外晶粒的择优取向使晶粒间在较低的应力下协调形变,因此CVD-W在较低的应力下即可发生塑性形变。 展开更多
关键词 化学气相沉积纯钨 晶界结构 重合位置点阵 晶粒择优取向
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Effect of Silicon-on-Insulator Substrate on Residual Strain in 3C-SiC Films
12
作者 王晓峰 黄风义 +5 位作者 孙国胜 王雷 赵万顺 曾一平 李海鸥 段晓峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1681-1687,共7页
One group of SiC films are grown on silicon-on-insulator (SOI) substrates with a series of silicon-overlayer thickness. Raman scattering spectroscopy measurement clearly indicates that a systematic trend of residual... One group of SiC films are grown on silicon-on-insulator (SOI) substrates with a series of silicon-overlayer thickness. Raman scattering spectroscopy measurement clearly indicates that a systematic trend of residual stress reduction as the silicon over-layer thickness decreases for the SOI substrates. Strain relaxation in the SiC epilayer is explained by force balance approach and near coincidence lattice model. 展开更多
关键词 RAMAN strain relaxation force balance principle near coincidence lattice model
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再结晶织构与形变织构间位向关系的研究 被引量:1
13
作者 林一坚 《上海钢研》 1997年第3期1-4,共4页
本文引入矩阵方法研究再结晶织构与形变织构间的关系,发现存在与某些重合点阵关系相近的特殊位向关系。
关键词 织构 位向关系 重合点阵 金属 再结晶
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脉冲磁场退火对取向硅钢组织及织构的影响 被引量:1
14
作者 张思雨 麻永林 +2 位作者 赵云鹏 于文霞 邢淑清 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期90-94,共5页
为研究脉冲磁场对普通取向硅钢组织及织构的影响,在相同时间下对取向硅钢进行普通退火及脉冲磁场为14.1、20.6 mT下退火。用电子背散射衍射装置(EBSD)观察取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合位置点阵(CSL)的变化。结果表明:经脉... 为研究脉冲磁场对普通取向硅钢组织及织构的影响,在相同时间下对取向硅钢进行普通退火及脉冲磁场为14.1、20.6 mT下退火。用电子背散射衍射装置(EBSD)观察取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合位置点阵(CSL)的变化。结果表明:经脉冲磁场退火后,提高λ织构的面积分数和晶粒尺寸,促进二次再结晶的{012}<001>织构增强,{112}<110>不利织构减弱;Σ3和Σ9晶界比增加,取向差为20°~45°的特殊晶界比也增加。 展开更多
关键词 取向硅钢 脉冲磁场退火 取向差 重合位置点阵
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磁场退火时间对普通取向硅钢组织与织构的影响 被引量:1
15
作者 赵尖 邢淑清 +2 位作者 麻永林 张思雨 赵娜娜 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2017年第3期235-239,共5页
为研究磁场退火对普通取向硅钢再结晶组织的影响,在相同磁感应强度下,分析不同磁场加载时间对退火组织及织构的变化.采用光学显微镜及扫描电镜附件的电子背散射衍射装置(EBSD)观察并研究普通取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合... 为研究磁场退火对普通取向硅钢再结晶组织的影响,在相同磁感应强度下,分析不同磁场加载时间对退火组织及织构的变化.采用光学显微镜及扫描电镜附件的电子背散射衍射装置(EBSD)观察并研究普通取向硅钢磁场退火阶段的织构、取向差及重合位置点阵(CSL)的变化.结果表明:在磁感应强度为0.12T、退火时间300s时,晶粒尺寸更加均匀,形成更多高强度的高斯织构{110}<001>,同时{111}<112>和{111}<110>有利织构增强,Σ3晶界比例增加;此外,小角度晶界的比例同未施加磁场相比较有所下降,大角度晶界比例相对提高,促进二次再结晶发展的{012}<001>织构增强. 展开更多
关键词 取向硅钢 磁场退火 织构 取向差 重合位置点阵
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Effect of hot rolling on microstructure and tribology behaviors of Ti-50.8Ni alloy 被引量:2
16
作者 Rui YANG Wei MA +2 位作者 Chao WANG Ting-mei WANG Qi-hua WANG 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第4期967-979,共13页
We link different microstructures to tribological behaviors of Ti-50.8 Ni(mole fraction, %) in reciprocating mode at room temperature(20 ℃). Hot-rolled alloys with B2 phase exhibit lower coefficient of friction and w... We link different microstructures to tribological behaviors of Ti-50.8 Ni(mole fraction, %) in reciprocating mode at room temperature(20 ℃). Hot-rolled alloys with B2 phase exhibit lower coefficient of friction and wear rate compared to the ones with B19?. Stress-induced martensitic transformation occurs during sliding. However, multi-pass hot rolling weakens the wear resistance. In this study, microstructures were characterized through electron backscatter diffraction and transmission electron microscopy(EBSD/TEM). From the concept of energy conservation, the effects of weak intensity of hot-rolled textures on the wear resistance are minimal. Based on the result that the alloy with a higher portion of coincidence site lattice boundaries shows lower martensitic start transformation temperature in the DSC curves than that with higher KAM values, the delay on B2-B19? transformation from {112}B2 twins outweighs dislocations. Moreover, widely distributed small-angle grain boundaries owing to dynamic recovery improve the wear resistance effectively compared to those that are well-recrystallized. 展开更多
关键词 Ti-50.8Ni alloy tribological performance small angle grain boundaries coincidence site lattice(CSL)boundary
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用MAEAM法计算Ag/Ni的界面能 被引量:8
17
作者 张建民 辛红 魏秀梅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期237-241,共5页
采用改进分析型嵌入原子法计算了Ag( 111) Ni( 0 0 1)和Ag( 0 0 1) Ni( 111)扭转界面的能量 ,结果表明 :对Ag( 111) Ni( 0 0 1)界面 ,当扭转角等于 0°(或 30°)时界面能最小 ,这一择优扭转角取向和Gao等人的实验结果一... 采用改进分析型嵌入原子法计算了Ag( 111) Ni( 0 0 1)和Ag( 0 0 1) Ni( 111)扭转界面的能量 ,结果表明 :对Ag( 111) Ni( 0 0 1)界面 ,当扭转角等于 0°(或 30°)时界面能最小 ,这一择优扭转角取向和Gao等人的实验结果一致 ;同样 ,对Ag( 0 0 1) Ni( 111)界面 ,当扭转角等于 0°(或 30°)时界面能最小 ;从界面能最小化考虑 ,Ag( 0 0 1) Ni( 111)扭转界面的择优扭转角也为 0°(或 30°) . 展开更多
关键词 Ag/Ni 嵌入原子法 重合位置点阵 界面能 薄膜材料
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