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重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
被引量:
3
1
作者
黄笑容
杨德仁
+4 位作者
沈益军
王飞尧
马向阳
李立本
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期662-667,共6页
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出...
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .
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关键词
重掺杂直拉硅
氧沉淀
缺陷
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职称材料
题名
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
被引量:
3
1
作者
黄笑容
杨德仁
沈益军
王飞尧
马向阳
李立本
阙端麟
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第6期662-667,共6页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :5 0 0 3 2 0 10
60 2 2 5 0 10 )
国家高技术研究发展计划 (No.2 0 0 2AA3Z1111)资助项目~~
文摘
研究了重掺杂直拉硅单晶中掺杂元素硼、磷、砷、锑对氧沉淀及其诱生二次缺陷行为的影响 .实验结果表明 :重掺p型 (硼 )硅片氧沉淀被促进 ,氧沉淀密度高但无诱生二次缺陷 ;重掺n型 (磷、砷、锑 )硅片氧沉淀受抑制 ,氧沉淀密度低却诱生出层错 ;不同掺杂元素及浓度对重掺n型硅片氧沉淀抑制程度不同 ,并对氧沉淀诱生层错的形态产生影响 .讨论了重掺硅单晶中掺杂元素影响氧沉淀及其诱生二次缺陷的机理 ,并利用掺杂元素 本征点缺陷作用模型和原子半径效应模型对实验结果进行了解释 .
关键词
重掺杂直拉硅
氧沉淀
缺陷
Keywords
heavily doped Czochralski silicon
oxygen precipitates
defects
分类号
TN30412 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
重掺杂直拉硅单晶氧沉淀及其诱生二次缺陷
黄笑容
杨德仁
沈益军
王飞尧
马向阳
李立本
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
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职称材料
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