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题名硅中磷杂质的SIMS定量检测
被引量:3
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作者
陈密惠
何秀坤
马农农
曹全喜
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机构
西安电子科技大学技术物理学院
中国电子科技集团第
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出处
《电子科技》
2010年第9期68-70,共3页
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文摘
利用SIMS(二次离子质谱仪)测试了国产重掺砷硅单晶中的痕量杂质磷,通过样品前期处理和精密的仪器调试,使检测时间缩短,并使硅中磷的检测限达到5×1013cm-3。实验结果表明,样品的前期处理工艺会对检测结果产生影响。不同处理工艺得到的样品,在表面粗糙度方面产生区别。不同的表面粗糙度,影响到样品的测试时间和测试精度。同时,通过仪器调试,仪器的真空度达到1×10-10torr,使测试背底和检测限降低。
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关键词
SIMS
重掺砷硅
磷杂质
前期处理
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Keywords
SIMS
heavy arsenic doping silicon
phosphorus impurity
pretreatment of sample
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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