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重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
被引量:
5
1
作者
王铮
曹永明
+1 位作者
方培源
王家楫
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期1049-1052,共4页
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单...
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.
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关键词
红外吸收光谱法
相对灵敏度因子法
重掺砷硅单晶
二次离子质谱
硼
硅材料
原文传递
题名
重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
被引量:
5
1
作者
王铮
曹永明
方培源
王家楫
机构
复旦大学材料科学系
出处
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第6期1049-1052,共4页
基金
上海市科学技术发展基金资助项目(2001 103 107 004)
文摘
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.
关键词
红外吸收光谱法
相对灵敏度因子法
重掺砷硅单晶
二次离子质谱
硼
硅材料
Keywords
IR-absorption spectrometry
relative sensitivity factor(RSF)
heavily doped as Silicon crystal
Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS)
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
O613.81 [理学—无机化学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析
王铮
曹永明
方培源
王家楫
《复旦学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2003
5
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