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重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析 被引量:5
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作者 王铮 曹永明 +1 位作者 方培源 王家楫 《复旦学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期1049-1052,共4页
重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单... 重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助. 展开更多
关键词 红外吸收光谱法 相对灵敏度因子法 重掺砷硅单晶 二次离子质谱 硅材料
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