锗对重掺硼直拉硅中氧沉淀的影响

通过单步长时间退火（650～1150℃／64h）和低高两步退火（650℃／16h＋1000℃／16h和800℃／4～128h＋1000℃／16h），研究锗对重掺硼硅（HB-Si）中氧沉淀的影响．实验结果表明，经过退火后，掺锗的重掺硼硅中与氧沉淀相关的体微缺陷密度要远远低于一般的重掺硼硅，这表明锗的掺人抑制了重掺硼硅中氧沉淀的生成，并对相关的机制做了初步探讨．

外延用300mm重掺B Si衬底中热致微缺陷研究

研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响。通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷——体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺BSi片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小。研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素。

基于三层光栅结构的超宽带太赫兹吸收体

基于等效介质膜理论及多层减反膜原理设计了用于超宽带太赫兹吸收体的三层微结构光栅，光栅基质采用重掺硼硅材料．用有限时域差分法分析了光栅周期、光栅宽度和深度对太赫兹吸收体反射系数的影响．数值分析结果表明，在低于3THz波段，吸收率高于98％的带宽为1．3THz，吸收率高于95％的带宽达2．1THz．用严格耦合波理论对该三层光栅的高吸收现象进行理论分析，分析结果表明，光栅多级衍射的相互作用减少了入射面的反射率，增大了该吸收体的吸收率．进一步优化三层光栅微结构的参量，在0．6～6THz范围内实现了大于95％的太赫兹吸收．基于光栅结构的吸收体结构简单，易于设计与分析，可以应用于太赫兹成像与探测应用领域．