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题名直拉重掺硼硅单晶的碱腐蚀特性研究
被引量:3
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作者
吕菲
耿博耘
于妍
杨洪星
刘锋
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2013年第9期5-7,13,共4页
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文摘
直拉重掺硅硼单晶作为重要的外延衬底材料,具有其优越的特性。由于其硬度大,杂质含量高,在抛光片的加工过程中表现出腐蚀速率慢、表面均匀性差等特点,不利于硅片腐蚀减薄和抛光清洗等。研究了直拉重掺硅硼单晶的碱性腐蚀速率随腐蚀液温度和浓度变化趋势,从直拉重掺硅硼单晶化学反应的微观角度解释了这种变化规律,在此基础上,研究了不同的添加剂对腐蚀速率和表面均匀性的影响,从理论和实验两方面证实了,在腐蚀液中加入碱性氧化剂有利于腐蚀速率的提高,并能有效改善硅片的表面均匀性。
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关键词
重掺硼硅单晶
腐蚀速率
表面均匀性
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Keywords
Boron-doped czochralski silicon
Etching rate
Surface uniformity
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分类号
TN304.05
[电子电信—物理电子学]
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题名大直径重掺硼硅单晶生长工艺研究
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作者
韩焕鹏
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机构
中国电子科技集团公司第四十六研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2015年第8期5-9,29,共6页
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文摘
在CG6000型单晶炉上,开展了硼掺杂浓度8×1019cm-3以上的150 mm(6英寸)硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化,抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷,成功拉制出了电阻率1.5×10-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶,并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨,提高了该类硅单晶生长的效率和成品率。
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关键词
大直径重掺硼硅单晶
热场改造
工艺参数改进
组分过冷
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Keywords
Big diameter boron doped crystal
Modification of hotzone
Optimizing of growth process
Component melt cooling
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分类号
TN304.053
[电子电信—物理电子学]
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