聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率及均匀性研究

研究了聚焦重离子束溅射制备同位素靶的材料利用率和均匀性。通过实验确定了两种溅射距离(7 mm和14 mm)下沉积靶的纵向和横向厚度分布,确定了提高靶均匀性的有效方法——基衬公转和沉积1/2厚度后基衬调头,确定了匹配材料利用率和均匀性的最佳几何参数。制备了5种同位素氧化物靶和9种高熔点金属同位素靶,应用于核物理测量实验。实验表明,源-衬距离为7 mm和14 mm时,在9 mm×10 mm成膜区域内,基衬中心距靶(源)材料水平界面垂直距离为9 mm和11 mm时可获得均匀的靶膜和最高的材料利用率。

硼靶制备技术的研究

介绍 Ｂ靶制备技术及其质量厚度测量方法。静电振动、高压电喷和离心沉淀主要用于制备有衬 Ｂ靶，而聚焦重离子束溅射和电子轰击可用来制备自支撑 Ｂ靶和有衬 Ｂ靶。 Ｂ靶的质量厚度用分光光度法和称重法测量。