纯金属Bi中高能重离子辐照效应

利用高能重离子（Ｋｒ， Ｘｅ， Ｓｎ和Ｐb ）辐照处于 １６或 １００ Ｋ的低熔点纯金属 Ｂｉ，通过测量分析辐照引起的样品电阻率增量及其变化速率随辐照剂量的变化，研究了入射离子在Ｂｉ中引起的辐照损伤效应如辐照损伤效率及复杂缺陷的产生等．结果表明，强的电子能损可在纯金属Ｂｉ中引起附加缺陷的产生，从而使得辐照损伤效率＞１．电子能损值大时，入射离子在Ｂi中引起的辐照效应主要是电子能损效应．辐照温度和入射离子速度对辐照效应的强弱有一定的影响．

单晶YSZ的Xe^+离子辐照效应研究

200keVXe+离子辐照使单晶YSZ由无色透明变成紫色透明,结果表明,能量为200keV,注量为1×1017cm-2的Xe+离子辐照YSZ单晶产生的损伤高达350dpa,在损伤区产生高密度的缺陷,但仍然没有发生非晶化转变。吸收光谱测试结果表明,产生吸收带的注量阈值大约为1016cm-2。注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm。光吸收带可能与Zr阳离子最近邻的氧空位捕获电子形成的F型色心和Y阳离子近邻的氧离子捕获空穴形成的V型色心有关。

电子元器件的微剂量效应研究进展

高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结构特征,介绍了微剂量效应的失效表征,并讨论了其主要影响因素和发展趋势。

重离子辐照引起磁性隧道结功能失效类型及机理研究

重点研究了磁性隧道结(MTJ)的电学性能受离子注量影响的物理规律。实验首次发现了高能Ta离子辐射损伤导致MTJ电学功能失效的现象,主要失效模式为:高、低电阻态失效,其中79.9%的功能失效为高电阻态失效。计算表明,单个10.9 MeV/u的Ta离子辐照引入的损伤无法导致MTJ宏观电学功能失效。结合理论计算与Monte Carlo模拟分析,MTJ中的绝缘势垒层与铁磁薄膜的损伤是出现高、低电阻态失效的内因。