脉冲激光能量等效重离子LET研究

基于重离子和脉冲激光与Si材料相互作用的机理分析,提出了脉冲激光能量等效重离子LET的等效判据。该判据认为:如果半导体材料每吸收1个光子就能产生1个载流子,则脉冲激光和重离子诱发1个载流子所需的能量是等效的。利用该等效判据及Beer定律,推导出线性吸收条件下脉冲激光能量与重离子LET之间等效换算公式。本工作计算的脉冲激光能量等效LET结果与国外文献结果一致。

存储器空间单粒子翻转率预测

根据SSO上两卫星搭载的三个PREM测得的空间中重离子LET谱,以及利用Weibull分布模型拟合出的不同器件的σ-LET曲线,对由空间中重离子引起的单粒子翻转的翻转率进行了预测估算.将预测值与实测值对比,分析了影响翻转率的因素.对于相同器件,翻转率与设备在卫星上的位置和朝向有关.位于卫星尾部面向后退(-x)方向的翻转率高于位于底部对地(+z)方向的器件翻转率;太阳活动水平高的时间段翻转率高于太阳活动水平低的时间段.探测器接收的重离子微分LET谱的强度和硬度决定了器件的单粒子翻转率.在高于翻转LET阈值时,LET谱的强度越高,其硬度和翻转率越大.不同器件的翻转率也不相同.