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垂直集成——延长摩尔定律的有效途径
被引量:
3
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作者
童志义
赵璋
《电子工业专用设备》
2012年第1期1-7,32,共8页
主要概述了目前集成电路由两维的平面集成向3维的立体集成转变过程中的主流和热点技术,包括后道封装制程中实现裸片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV三维封装,以及前道晶圆制程中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅晶体管...
主要概述了目前集成电路由两维的平面集成向3维的立体集成转变过程中的主流和热点技术,包括后道封装制程中实现裸片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV三维封装,以及前道晶圆制程中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅晶体管过渡的创新技术。根据全球半导体联盟打造3D集成电路计划和目前应对垂直集成技术的工艺设备现状,展望了半导体垂直集成技术实现量产的前景。
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关键词
摩尔定律
垂直集成
3DTSV
3D晶体管
多栅晶体管
量产解决方案
下载PDF
职称材料
题名
垂直集成——延长摩尔定律的有效途径
被引量:
3
1
作者
童志义
赵璋
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2012年第1期1-7,32,共8页
文摘
主要概述了目前集成电路由两维的平面集成向3维的立体集成转变过程中的主流和热点技术,包括后道封装制程中实现裸片堆叠、载体堆叠和封装体堆叠的TSV三维封装,以及前道晶圆制程中将传统的晶体管二维平面结构向三维立体结构的多栅晶体管过渡的创新技术。根据全球半导体联盟打造3D集成电路计划和目前应对垂直集成技术的工艺设备现状,展望了半导体垂直集成技术实现量产的前景。
关键词
摩尔定律
垂直集成
3DTSV
3D晶体管
多栅晶体管
量产解决方案
Keywords
Moore's Law
Vertical Integration
3DTSV
3D Transistor
Multi-Gate Transistor
Volume Production Solutions
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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作者
出处
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被引量
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1
垂直集成——延长摩尔定律的有效途径
童志义
赵璋
《电子工业专用设备》
2012
3
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