包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型

量子力学效应对于深亚微米 MOSFET特性的影响随着衬底浓度的增加和栅氧层厚度的减小而日益显著 .实验结果表明 :量子力学效应能够导致开启电压明显的漂移 .本文通过比较薛定谔方程在抛物线势垒下的数值解和三角势垒下的解析解验证了 MOS结构弱反型区量子力学效应三角势垒近似的正确性 .在计算弱反型区量化层内子带结构的基础上 ,提出量子化有效态密度和经典有效态密度的概念 ,分析了载流子在子带中的分布情况 ,讨论了量子力学效应影响开启电压的两个因素 ,并在此基础上给出了开启电压的量子力学修正模型 .该模型准确地揭示了量子力学效应影响开启电压的物理实质 。

介观含源耦合电路中的量子力学效应

通过对无耗耦合含源介观电路的量子化和体系哈密顿量的对角化 ,计算了压缩真空态下和含源电路基态下电荷、电流的量子涨落 .结果表明 ,介观耦合电路中存在量子力学效应 ,每一回路的量子涨落除决定于回路自身参量外 ,还决定于另一回路的电学参量 ,即两回路中的量子涨落是相互关联的 ;此外 。

介观电路量子力学效应的研究进展

在简述介观物理的发展背景之后,主要介绍了自20世纪90年代以来,介观电路量子力学效应研究的一些新进展。

高能带电粒子库仑对数量子力学效应研究

先进燃料D-3He聚变产生的高能带电粒子在本底等离子体中慢化时间的准确性直接影响到能量平衡和高能离子压强的计算结果。结果表明:高能带电粒子与本底等离子体的离子相互作用的库仑对数量子力学效应明显。应使用高能带电粒子库仑对数力学效应来研究聚变产生的高能端部粒子慢化过程;能量大于等于25Zi2Z2tAtkeV的高能粒子与本底等离子体中离子的相互作用库仑对数最好也使用量子截断。

非耗散介观含源电路的量子力学效应(英文)

本文对非耗散介观含源电路的量子力学效应进行了详细研究．导出了非耗散介观含源电路在压缩真空态下其电荷和电流的量子零点涨落，并得到了该电路在绝对零度时的量子噪音．

考虑量子力学效应的超薄栅氧nMOSFET's直接隧穿电流二维模型

研究了超薄栅氧 MOS器件的直接隧穿 (direct tunneling,DT)电流模型问题 .利用修正的 WKB近似方法(m odified WKB,MWKB)得到电子隧穿栅氧的几率 ,利用修正的艾利函数 (modified Airy function,MAF)方法计算得到在高电场条件下载流子的量子化能级 ,从而计算出在不同偏置条件下的 DT电流 .模型实现了 n MOSFET's栅隧穿电流的二维模拟 ,可以模拟在不同栅漏偏置条件下的器件工作情况 ,具有较广泛的适用性 .通过对比表明 ,本模型能够与实验结果很好地吻合 ,且速度明显优于数值方法 .利用模型可很好地对深亚微米

考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型

在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。

在物质中长基线中微子振荡实验的非量子力学效应

研究了在物质中长基线中微子振荡实验的非量子力学效应，计算了非量子力学效应对中微子振荡几率和微子混合参数（ｓｉｎ２θ。

二维量子力学效应对阈值电压的影响

在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.

量子力学效应和共价键本质

本文通过分析量子力学处理H _2^+结构的重要结果,研究分子轨道理论中量子力学效应对共价键形成的影响,进而阐明共价键的本质.

基于量子力学效应的多子带MOS器件修正系统

对于MOS器件隧穿电流的测量及修正,通过自洽解的方式运算复杂且时效较低。以表面势解析为基础,提出多子带向单子带等效的方案。通过向单子带的等效,大量减少对应的拟合参数,简化运算步骤,提高精度。同时经过算例验证,方案切实可行,并与自洽解方式进行对比,提高了计算的时效性,具备更高的精确性及普适性。同时,将隧穿模型用于不同栅介质材料的测量,并与实际数据进行对比,结果吻合度高,更加适用于MOS器件修正模拟。

冷原子在静电势阱中的量子力学效应

用四个点电荷构造一个简单、新颖的静电势阱 ,并基于含时薛定谔方程和有限差分时间域方法 ,研究冷原子在该势阱中的量子力学效应 .以中性铷原子为例 ,给出了原子和静电场系统的含时波函数 ,基态本征能量和本征波函数 .结果表明 ,在这样的静电势阱中 ,囚禁中性冷原子是完全可能的 .

GCS法及多晶区量子效应的集约建模(英文)

提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模并分别嵌入模型中 .另外 ,利用该方法和密度梯度模型建立了一个多晶区内量子效应的集约模型 .该模型与数值模拟结果吻合 .模型结果和模拟结果均表明 ,多晶区内的量子效应不可忽略 ,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反 .

纳米量子器件研究的若干前沿问题

纳米量子器件是目前纳米物理学与纳米电子学领域中最重要的研究方向 .人们预测 ,该领域中的任何一项具有实质意义的突破性进展 ,都极有可能在全球范围内触发一场新的信息技术革命 .所谓纳米量子器件 ,是指基于各种量子力学现象 ,如量子尺寸效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效应、光学非线性效应以及量子信息处理等设计并制作的固态纳米电子器件、光电子器件、集成电路乃至量子计算机等 .本文将着重介绍目前纳米量子器件研究中的若干活跃前沿以及我们应采取的对策 .

纳米双栅MOS器件的二维量子模拟

利用非平衡格林函数法处理开放边界条件的薛定谔方程,与泊松方程自洽求解,在实空间实现了对纳米量级双栅MOS器件的二维量子模拟。与模空间法的仿真效率及模拟结果进行了比较,对栅极漏电流受栅介质、栅与源漏交叠、栅氧层厚度的影响进行了研究。

纳米级MOSFET多晶区量子修正解析模型

利用ISE8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟。结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响与多晶耗尽效应相反。从密度梯度模型,简化得到多晶区量子效应修正,并建立了多晶区内量子效应的集约模型。该模型与数值模拟结果吻合。

用核磁共振量子计算机研究量子退相干问题

Quantum decoherence behavior is observed and studied on a 2 qubit NMR quantum computer. Experimental results show a good agreement between theory and experiment. The scheme can be generalized to the case that the environment is composed of N independent qubits.

介观并联RLC电路的量子化及其量子涨落

从电阻产生的物理机制即电子与晶格振动的相互作用出发,对并联电路RLC进行了量子化,并计算了相应物理量的量子涨落.

库仑对数的量子修正

对D He3 聚变产生的高能带电粒子 ,它们在本底等离子体中热化初始阶段的能量损失速率或慢化时间的计算准确性直接影响到能量平衡和快离子压强的计算结果。研究表明 ,在描述聚变产生的高能尾部粒子初始热化阶段 ,最好使用较精确的库仑对数lnΛi 。