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压缩真空场中量子存储单元的消相干特性
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作者 张登玉 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期614-616,共3页
两能级原子作为量子存储单元 ,当存储单元置于压缩真空库 (人工制备的库 )时 ,利用存储单元约化密度算符非对角元的时间演化 ,研究单光子过程和简并双光子过程中存储单元的消相干特性。在压缩真空库中 ,可以消除量子存储单元的消相干。
关键词 压缩真空库 两能级原子 量子存储单元 简并双光子 消相干 单光子
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