量子棒中弱耦合磁极化子的性质

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在抛物限制势下量子棒中弱耦合磁极化子的振动频率和基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比以及磁场的回旋频率的变化关系.数值计算结果表明:振动频率和基态结合能随回旋频率的增加而增大,随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大.基态结合能随耦合强度的增加而增大.振动频率随纵横比的增加而减少.当e′>1时,基态结合能随纵横比的增加而增加.e′<1时,随着纵横比的减少,基态结合能增大.当e′=1时,基态结合能取稳定的极小值.

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法,研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势、电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系。数值计算结果表明:振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势的增加而增大,基态能量和基态结合能随电子-声子耦合强度的增加而增加。当e′>1时,振动频率、基态能量和基态结合能随椭球的纵横比的增加而增加;e′<1时,随纵横比的减少,振动频率、基态能量和基态结合能都增大;当e′=1时,振动频率取极小值,基态能量和基态结合能也取较小的稳定值。

量子棒中强耦合磁极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合磁极化子的性质。导出了量子棒中强耦合磁极化子的振动频率和声子平均数随磁场的回旋频率、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和横向和纵向有效受限长度的变化关系。结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和磁场的回旋频率的增加而增加,随横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。当e′>1时,振动频率和声子平均数随椭球的纵横比增加而增加。e′<1时,随着椭球的纵横比减少,振动频率和声子平均数都增大。当e′=1时,振动频率和声子平均数取极小值。

量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性

基于Huybrechts-Lee-Low-Pines变分法,研究量子棒中强耦合磁极化子基态能量的磁场和温度依赖性。结果表明:磁极化子基态能量的绝对值随温度参数的增加而增大,随电子-声子耦合强度的增加而增大,随磁场的回旋频率的增加而减小,随量子棒受限强度的增加而减小;磁极化子的基态能量随量子棒纵横比的变化规律呈'√'型曲线,并受到温度的显著影响。

量子棒中杂质极化子的内部激发态(英文)

通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界。采用线性组合算符和么正变换方法研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的第一内部激发态能量、激发能量和从第一内部激发态到基态跃迁频率随量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势、椭球的纵横比的变化关系。结果表明:它们随库仑束缚势的增加而增大,随纵横比和有效受限长度的增加而减少。表现出量子棒有趣的量子尺寸限制效应。

量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合杂质束缚极化子的性质。导出了量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率和声子平均数随库仑束缚势、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和量子棒的横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增强而增加,随量子棒的横向和纵向有效受限长度和椭球的纵横比的减小而增大。表现出量子棒的奇特的量子尺寸限制效应。

磁场对量子棒中极化子激发态性质的影响

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在抛物限制势下量子棒中弱耦合磁极化子的第一内部激发态能量E1、激发能量ΔE和从激发态到基态跃迁谱线的频率ω随横向和纵向有效受限长度lp和lz、电子-声子耦合强度α、椭球的纵横比e′以及磁场的回旋频率ωc的变化关系。数值计算结果表明:第一内部激发态能量、激发能量和跃迁谱线频率随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大,随回旋频率的增加而增大。第一内部激发态能量随耦合强度的增加而减少。当e′>1时,跃迁谱线频率和激发能量随纵横比的增加而增大,当e′<1时,随着纵横比的减少而增加。当e′=1时,它们取稳定的极小值。

量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数

具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数随电子-声子耦合强度、椭球的纵横比的变化关系.数值计算,结果表明:量子棒中弱耦合磁极化子的平均声子数随电子-声子耦合强度的增加而增加,随椭球的纵横比的增加而减少.

量子棒中极化子基态能量的杂质效应

通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符方法,研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的基态能量与椭球纵横比、量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的关系.结果表明:基态能量随有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒珍奇的量子尺寸限制效应.基态能量随库仑束缚势、纵横比和耦合强度的增加而减少.

量子棒中极化子声子平均数的温度依赖性

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变分法,研究了温度对量子棒中强耦合极化子平均声子数和振动频率的影响。结果表明,量子棒中强耦合极化子的平均声子数N-和振动频率λ随量子棒纵横比e′、温度T的增加而减小,随电子-声子耦合强度α和受限强度Ω∥的增加而增大。温度对平均声子数N-和振动频率λ的影响只是在温度较高(γ<1.0)时较显著,而在温度较低(γ>1.0)下并不显著。

量子棒中磁极化子的回旋共振特性和光学声子平均数

基于Huybrechts线性组合算符法,采用Lee-Low-Pines幺正变换和变分技术研究了磁场中量子棒内抛物限制势下电子-体纵光学声子强耦合磁极化子基态的回旋共振特性,推导出磁极化子回旋共振频率和光学声子平均数与磁场的回旋频率、电子-声子耦合强度、量子棒的纵横比和受限强度的变化规律。数值结果表明:磁极化子的光学声子平均数和回旋共振频率随磁场的回旋频率、电子-声子耦合强度和量子棒的受限强度的增加而增大,随量子棒纵横比的增加而减小。

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率随库仑束缚势和椭球的纵横比的变化关系以及声子平均数随电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系.数值计算结果表明:振动频率随库仑束缚势的增加而增加,当e′>1时,振动频率随椭球的纵横比的增加而增加.e′<1时,随着椭球的纵横比的减少,振动频率增大.当e′=1时,振动频率取极小值.声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增加,随着椭球的纵横比的减少而增大.

CdSe量子棒的线偏振光学性质(英文)

用有效质量包络函数理论研究了CdSe量子棒的线偏振光学性质,考虑了形状和磁场的影响.发现CdSe量子球具有负的线偏振因子(xy-平面内的线偏振发射) ,而小半径长量子棒具有正的线偏振因子(z-方向的线偏振发射) .z-方向就是晶格c-轴方向.因六角晶格对称性和晶格场劈裂能的影响,大半径长量子棒具有负的线偏振因子.线偏振因子随着z-方向磁场的增加而减小,可能由正变负,即z-方向的线偏振发射相对xy-平面内的线偏振发射减小了.

半导体量子棒的光控取向技术进展

介绍了液晶分子的光控取向技术和半导体量子棒均匀定向的方法。该方法可以将高亮度、核/壳结构的CdSe/CdS量子棒与液晶单体相互结合,通过定向排列液晶单体来实现对量子棒的定向排列,并利用紫外光聚合固化,形成包裹量子棒的液晶聚合物薄膜。通过对高偏振荧光量子棒的光学表征,展现出高排列序参数。在应用方面,液晶聚合物中的量子棒可在微米尺度(低至2μm)内进行多畴取向,展现出在光子学和保密领域中的应用前景;结合量子棒/液晶聚合物(QR/LCP)薄膜与液晶显示技术,可用于新式光学驱动荧光显示设备;用于现代液晶显示设备中的量子棒亮度增益膜,在增强色彩表现(>100%NTSC)的同时,又能提高显示器的光学效率(>8%)。

量子棒中极化子激发态的性质

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合极化子的振动频率λ、第一内部激发态能量E_1、激发能量△E和从激发态到基态跃迁谱线频率ω随椭球的纵横比e'、电子-声子耦合强度α和横向和纵向有效受限长度l_p和lz的变化关系。数值计算结果表明:振动频率、第一内部激发态能量、激发能量和跃迁谱线频率随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大。第一内部激发态能量随电子-声子耦合强度的增加而减少。振动频率随椭球纵横比的增加而减少。当e'>1时,激发能量和跃迁谱线频率随椭球纵横比的增加而增加。当e'<1时,随椭球纵横比的减少而增大。当e'=1时,它们取极小值。

磁场对量子棒中弱耦合极化子基态能量的影响

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了量子棒中弱耦合磁极化子的基态能量随量子棒的横向和纵向有效受限长度、椭球的纵横比、磁场的回旋频率和电子-声子耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:量子棒中弱耦合磁极化子的基态能量随横向和纵向有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒奇特的量子尺寸限制效应.基态能量随磁场的回旋频率的增加而增加,随椭球的纵横比和电子-声子耦合强度的增加而减少.

Cd2+前体反应时间对CdSe量子棒长径比的调控及其光学特性研究

CdSe量子棒是一种具有良好光学特性的半导体纳米材料,不同长径比的量子棒可应用于光电材料及器件制备。采用高温油相合成法制备CdSe量子棒,在只改变前体反应时间的前提下,探究其对于CdSe量子棒长径比的变化机理并对其光学特性进行对比分析。实验结果表明CdSe量子棒随着反应时间的增长粒径增大并且发射峰的峰位产生了红移的现象。通过透射电子显微镜表征后发现量子棒随着前体反应时间的增加长度逐渐变长,长径比逐渐变大。因此可以用该方法可以控制量子棒的生长。

基于量子棒纳米纤维大面积定向排列的偏振增亮膜及其在宽色域显示中的应用

作为一种新兴的纳米材料,CdSe/CdS量子棒的偏振发光特性使其在应用于新型液晶显示中极具潜力,而如何将量子棒材料在宏观尺度上大面积的定向排列是实现该技术的关键性问题。在本文中,我们报道了一种大面积、含定向排列量子棒、基于PMMA纳米纤维制成的偏振增亮膜。首先,采用一种新的TBP辅助合成方法,合成出具有核壳结构的CdSe/CdS量子棒。该材料的绝对量子产率达到了60%,发光波长的半峰宽为25nm,具有182nm的大Stokes位移。随后将这些量子棒溶于氯仿、DMF和PMMA混合溶液中制备用于静电纺丝的纺丝液。通过静电纺丝技术,将含有量子棒的聚合物纳米纤维通过滚筒收集处理,得到了一张透明、大面积、偏振增强的增亮膜,5cm^2增亮膜的偏振度为0.45。最后将制备的增亮膜嵌入一个液晶显示模组中测试,结果显示该模组的亮度提高了18.4%。这一结果表明我们制备的量子棒增亮膜在新型宽色域高光效显示领域具有非常广阔的应用前景。

量子棒中弱耦合极化子声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在抛物限制势下量子棒中电子-体纵光学(LO)声子弱耦合极化子中电子周围的平均声子数.讨论了在弱耦合情况下,电子周围的平均声子数与电子-声子耦合常数及纵横比的关系.

量子棒及其异质结的超低频拉曼光谱及有限元分析

硫族化镉纳米微晶由于具有发光效率高和发射波长可调谐等优良性质在光电器件中有重要的应用,CdSe/CdS点-棒异质结量子点是典型代表之一。本文中通过非共振拉曼方法探测了该量子点在5~50cm-1的声学声子模,利用不同模式的偏振特性,清晰地指认了球状核壳异质结量子点的扭转模式和径向呼吸模、棒状和点-棒异质结量子点的伸缩模和径向呼吸模等,并观察到了棒状量子点和点-棒异质结量子点的电子拉曼散射。同时发现点-棒异质结量子点的径向呼吸模较尺寸相当的纳米棒量子点发生红移。利用有限元方法形象模拟各量子点声学模的振动形式,并发现点-棒异质结量子点呼吸模振动的局域性。随后,引入局域有效声速的概念,利用改进的Lamb定律,成功解释了该红移是由CdSe核区域声速的减小所导致的,并再次验证该呼吸模局域在核附近区域。该研究对于表征和研究量子点中的限制性声学模具有重要意义,声学模和光学跃迁均局域在量子点附近区域的特性,对调控其激子-声子耦合和相关的光学性质具有重要指导意义。