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掺杂超晶格量子阱的沟道效应与沟道辐射 被引量:18
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作者 罗晓华 何为 邵明珠 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期675-678,共4页
分析了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射,利用正弦平方势描述了掺杂超晶格量子阱沟道粒子的运动行为,并在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,导出了量子阱... 分析了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射,利用正弦平方势描述了掺杂超晶格量子阱沟道粒子的运动行为,并在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,导出了量子阱沟道辐射的辐射强度和辐射能量。结果表明,对于能量为100MeV左右的电子,辐射能量可达keV量级(X能区)。指出了用量子阱沟道辐射作为X激光或γ激光的可能性。 展开更多
关键词 量子辐射 正弦平方势 超晶格 摆方程
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超晶格量子阱沟道辐射的频率特征 被引量:1
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作者 胡西多 罗诗裕 邵明珠 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期808-811,共4页
预言了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射,引入正弦平方势描述超晶格量子阱沟道粒子的运动行为,并在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,导出了量子阱沟道辐... 预言了超晶格量子阱的沟道效应和沟道辐射,引入正弦平方势描述超晶格量子阱沟道粒子的运动行为,并在经典力学框架内,把粒子的运动方程化为摆方程。用Jacobian椭圆函数和椭圆积分解析地给出了系统的解和粒子运动周期,导出了量子阱沟道辐射能量与辐射谱的轨道特征。结果表明,对于能量为100 MeV左右的电子,辐射能量可达keV量级(X-能区)。指出了用量子阱沟道辐射作为X-激光或γ-激光的可能性。 展开更多
关键词 超晶格 量子辐射 正弦平方势 摆方程
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亚100nm NMOSFET的沟道反型层量子化效应研究
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作者 贺永宁 李宗林 朱长纯 《纳米科技》 2006年第3期3-6,共4页
介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分... 介绍了CMOS技术发展到亚100nm所面临的挑战。针对尺寸量子化效应。建立了NMOSFET的反型层电子量子化模型,分析了反型层量子化效应对NMOSFET器件参数包括有效栅氧厚度、阈值电压等的影响。得出结论,反型层量子化效应致使反型层电子分布偏离表面。造成有效栅氧厚度的增加,阈值电压的波动达到约10%。 展开更多
关键词 亚100nm CMOS 反型层量子 栅氧厚度 阈值电压
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Scheme for Teleportation of a Multipartite Quantum State by Using a Single Entangled Pair as Quantum Channel 被引量:7
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作者 WANG Xin-Wen WANG Zhi-Yong XIA Li-Xin 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2007年第2期257-260,共4页
我们在场为由单个 EPR 的一个未知多国参加的二水平的状态的完美的远距传物的一个理论计划(爱因斯坦—Podolsky—Rosen ) 配对,然后概括它多铺平,即,一个 N-quNit 状态能是由单个 quNit 的 teleportcd 纠缠的对,与另外的本地单一的... 我们在场为由单个 EPR 的一个未知多国参加的二水平的状态的完美的远距传物的一个理论计划(爱因斯坦—Podolsky—Rosen ) 配对,然后概括它多铺平,即,一个 N-quNit 状态能是由单个 quNit 的 teleportcd 纠缠的对,与另外的本地单一的操作。计划的特征是与纠纷的减少的数量移植一个多国参加的状态的电视花去更少古典位。 展开更多
关键词 量子隐形传态 多粒子量子 单纠缠对 量子沟道 猫态
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Optical Gain of V-groove Zn_(1-x)Cd_x Se/ZnSe Quantum Wires
5
作者 HEGuo-min ZHENGYong-mei 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2001年第1期1-7,共7页
The subband structures, distributions of electron and hole wave functions, state density, optical gain spectra, and transparency carrier density of the V-groove Zn 1-x Cd x Se/ZnSe quantum wires are investigated theor... The subband structures, distributions of electron and hole wave functions, state density, optical gain spectra, and transparency carrier density of the V-groove Zn 1-x Cd x Se/ZnSe quantum wires are investigated theoretically using four band effective-mass Hamiltonian, which takes into account the effects of the valence band anisotropy and the band mixing. The biaxial strain effect for quantum wires is included in the calculation. The compressive strain in the Zn 1-x Cd x Se wire region increases the energy separation between the uppermost subbands. The optical gain with xy -polarized light is enhanced, while optical gain with z -polarized light is strongly decreased. The xy -polarized optical gain spectrum has a peak at around 2.541 eV, with the transparency carrier density of 0.75×10 18 cm -3 . The calculated results also show that the strain tends to increase the quantum confinement and enhance the anisotropy of the optical transitions. 展开更多
关键词 光增益 V型量子线 分子束外延 MBE 孔带结构
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多晶SiGe栅量子阱pMOSFET阈值电压模型 被引量:1
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作者 屈江涛 张鹤鸣 +2 位作者 王冠宇 王晓艳 胡辉勇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期789-795,共7页
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论... 本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶SiGe栅量子阱沟道pMOS阈值电压和表面寄生沟道开启电压模型.应用MATLAB对该器件模型进行了数值分析,讨论了多晶Si1-yGey栅Ge组分、Si1-xGex量子阱沟道Ge组分、栅氧化层厚度、Si帽层厚度、沟道区掺杂浓度和衬底掺杂浓度对量子阱沟道阈值电压和表面寄生沟道开启电压的影响,获得了抑制表面寄生沟道开启的途径.模型所得结果与文献报道结果及ISE仿真结果一致. 展开更多
关键词 多晶SiGe栅 寄生 量子 阈值电压
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