自组织生长InAs量子点的发光性质研究

通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.

量子点2D-3D完整生长过程的Monte Carlo模拟

利用蒙特卡罗模拟方法对GaAs衬底上MBE法自组织生长InAs量子点的过程进行了研究,完成了量子点二维到三维生长完整过程的模拟。充分考虑应力应变的影响因素,首次使用指数函数形式的应力应变模型,使模拟结果更加可靠。通过改变衬底温度,生长停顿时间,得到了不同条件下量子点生长的计算机模拟图形并对结果进行了讨论。结果发现,适中的温度和较充分的迁移时间有助于生长出高质量的量子点。

半导体量子点材料的发展趋势

综述了半导体量子点材料的最新发展动态和发展趋势。