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可用于器件的侧墙GaAs量子线列阵结构 被引量:1
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作者 牛智川 周增圻 +1 位作者 潘钟 吴荣汉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期309-313,共5页
本文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构.沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上,分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成.用光栅刻蚀方法,制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维... 本文介绍了一种可以实用的侧墙式GaAs量子线及其列阵结构.沿〔01-1〕方向腐蚀条形的(311)A衬底上,分子束外延生长的各向异性导致了侧墙量子线结构的形成.用光栅刻蚀方法,制备了横向周期为1μm、纵向三层叠加的三维侧墙量子线列阵.阴极荧光谱研究表明:在5K下,发光主要来自量子线区域,在两侧的量子阱区域只有很弱的发光峰;认为低温下载流子主要束缚在量子线区域,在量子阱区域也有少量载流子被外延层涨落产生的局域态所束缚.随温度升高到85K以上直至室温下,只能观察到来自量子线区域的发光峰.这是由于束缚在量子阱局域态中的载流子大部分由于热激发而弛豫至量子线区域,参与量子线的发光.这种量子线列阵横向限制能量达到了220meV,表明该量子线列阵结构可以用于制备发光等实用器件. 展开更多
关键词 侧墙式 砷化镓 量子线列阵 结构
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Long-range adiabatic quantum state transfer through a linear array of quantum dots 被引量:5
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作者 CHEN Bing SHEN QingHui +1 位作者 FAN Wei XU Yan 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第9期1635-1640,共6页
We introduce an adiabatic long-range quantum communication proposal based on a quantum dot array.By adiabatically varying the external gate voltage applied on the system,the quantum information encoded in the electron... We introduce an adiabatic long-range quantum communication proposal based on a quantum dot array.By adiabatically varying the external gate voltage applied on the system,the quantum information encoded in the electron can be transported from one end dot to another.We numerically solve the schr dinger equation for a system with a given number of quantum dots.It is shown that this scheme is a simple and efficient protocol to coherently manipulate the population transfer under suitable gate pulses.The dependence of the energy gap and the transfer time on system parameters is analyzed and shown numerically.We also investigate the adiabatic passage in a more realistic system in the presence of inevitable fabrication imperfections.This method provides guidance for future realizations of adiabatic quantum state transfer in experiments. 展开更多
关键词 adiabatic passage tight-binding model quantum state transfer
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