基于量子模型的碳纳米管场效应晶体管电子输运特性

采用量子输运模型和NEGF理论,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,对类MOS-碳纳米管场效应晶体管的电子输运特性建模。考察了沟道长度Lg为5-25 nm时,其对器件的导通电流、阈值电压、关态泄漏电流、电流开关比、亚阈值摆幅等性质的影响。结果表明：当Lg≥15 nm时,MOS-CNTFET没有量子尺寸效应;当Lg〈15 nm时,器件出现短沟道效应;Lg〈10 nm时短沟道效应更加明显。

一维双极量子能量输运稳态模型弱解的存在性

在一维有界区域上研究一个半导体双极量子能量输运稳态模型.将此模型变形为由2个四阶椭圆方程和1个二阶退化椭圆方程组成的耦合方程组.利用截断方法和Leray-Schauder不动点定理证明了其变形后方程组弱解的存在性.

一维半导体量子能量输运模型稳态解的唯一性

本文研究了一维半导体稳态量子能量输运模型的古典解.利用一些不等式技巧证明了当晶格温度充分大且电流密度较小时其解是唯一的,这在文献[3]中没有得到.

一维双极量子能量输运稳态模型弱解的唯一性

利用一些不等式技巧,在一维有界区域上证明一个半导体双极量子能量输运稳态模型弱解的唯一性.即当晶格温度较大,且Planck常数、电子电流密度和空穴电流密度较小时,该模型的弱解是唯一的.结果表明,该器件模型的解是适定的.

一维稳态量子能量输运模型的古典解

在一维有界区域上研究一个半导体量子能量输运稳态模型,在热导率依赖于电子密度和电子温度的情形下,证明了其古典解的存在性。另外,当晶格温度充分大且电子密度相对较小时证明了其解的唯一性。证明利用指数变换、Leray-Schauder不动点定理和一些不等式技巧。