高灵敏度量子点-量子阱光电探测器的大动态范围读出设计

针对高灵敏度量子点-量子阱光电器件宽动态的光电响应特性,进行大的动态范围读出设计,对比分析了不同积分电容的CTIA读出结构的测试结果,设计一款低噪声增益自动可调放大器的读出结构,使输出动态范围扩展了26 dB,,获得较好的读出信噪比。

太赫兹量子阱光电探测器光栅耦合的模拟与优化

光栅耦合是量子阱光电探测器探测正入射电磁辐射的常用耦合方法,本文采用模式展开法研究了一维金属光栅太赫兹量子阱光电探测器中的电磁场分布,并给出了器件有源区中的平均光强.研究结果表明,若一维光栅的周期与太赫兹波在器件材料中的波长相当,并且根据器件结构选取合理的光栅占空比,可使器件中的平均光场最强,光栅的光耦合效率最高,从而提高器件的响应率.

THzQWP二维光栅耦合效率的理论分析研究

将二维金属光栅结构引入到探测器结构中,以提高太赫兹(THz)量子阱光电探测器的探测率。采用三维时域有限差分算法,建立了THz量子阱光电探测器的二维金属光栅仿真模型,详细分析了二维金属光栅参数对太赫兹量子阱光电探测器的电场强度的影响。仿真分析结果表明:当入射光频率为6.27THz(相对应波长为47.847μm)、光栅周期P=10.5μm、占空比=0.55(金属块宽度w=5.755μm)、光栅层厚度h=0.4μm时,器件中的Z方向上的电场值最大,光栅的耦合效率最高。

专利

本专利阐述一种戈利型热探测器,它采用了电子可调位移传感器,红外波段辐射能量加热一个腔中的气体.红外辐射能可使氮化硅薄膜偏转.用离膜中心几毫微米的硅接触电极探测此薄膜的运动,硅接触电极是用微机械加工方法制造的 用反馈电路使可调谐电流保持薄膜与接触电极有固定的分离距离.反馈电路以静电方式使膜偏转.静电控制电压是入射辐射的一个测量值.在10—15μm波长范围,探测灵敏度D^(?)=(10)^(10)cmHz^(1/2)/W.探测器采用硅微机械加工方法制成的,探测器获得的像尺寸为100μm.