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量子阱垒层掺杂变化对双波长LED调控作用研究
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作者 刘小平 范广涵 +4 位作者 张运炎 郑树文 龚长春 王永力 张涛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第13期518-526,共9页
采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可... 采用APSYS软件研究了InGaN/GaN量子阱垒层掺杂变化对双波长发光二极管发光光谱的调控问题.在不同掺杂类型和浓度下对器件电子空穴浓度分布、载流子复合速率、能带结构、发光光谱进行分析,结果表明,调节最了阱垒层n型和p型的掺杂浓度可以精确而有效地根据需要调控发光光谱,解决发光光谱调控难的问题.这些现象归因于掺杂的量子阱垒层对电子空穴分布的调控作用. 展开更多
关键词 量子阱垒层 掺杂浓度 数值模拟 双波长发光二极管
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