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基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
1
作者
范品忠
《激光与光电子学进展》
CSCD
2002年第3期33-34,共2页
关键词
光电器件
GaN/AIGaN
InGaAs/AlAsSb
量子阱次带间跃迁
光开关
原文传递
题名
基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
1
作者
范品忠
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
2002年第3期33-34,共2页
关键词
光电器件
GaN/AIGaN
InGaAs/AlAsSb
量子阱次带间跃迁
光开关
分类号
TN15 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
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1
基于GaN/AlGaN和InGaAs/AlAsSb多量子阱次带间跃迁的超快全光开关
范品忠
《激光与光电子学进展》
CSCD
2002
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