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1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
1
作者
段子刚
柴广跃
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期1409-1412,共4页
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料...
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
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关键词
异质结
晶体管激光器
外延结构
掺杂扩散
量子阱退化
下载PDF
职称材料
1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
2
作者
段子刚
黄晓东
+2 位作者
周宁
徐光辉
柴广跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期6193-6199,共7页
基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2...
基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱.
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关键词
晶体管激光器
外延结构
掺杂扩散
量子阱退化
原文传递
题名
1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
1
作者
段子刚
柴广跃
机构
深圳大学教育部广东省光电子器件与系统重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期1409-1412,共4页
基金
国家国际科技合作计划(2008DFA11010)资助
文摘
基于器件模拟仿真,设计了一种PNP型1.5μm波长多量子阱InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料外延结构,并采用金属有机化学气相沉积外延生长.其中基区采用N型Si掺杂.因为扩散系数小,比较P型Zn搀杂具有较高的稳定性,因而较NPN结构外延材料容易获得高质量的光学有源区.由于N型欧姆接触比P型容易获得,基区搀杂浓度可以相对较低,有利于减小基区光损耗和载流子复合,从而获得较低的阈值电流和较高的输出光功率.所获得的外延材料呈现较高光-荧光谱峰值和65.1nm较低半峰宽.测试结果显示了较高的外延片光学质量.
关键词
异质结
晶体管激光器
外延结构
掺杂扩散
量子阱退化
Keywords
Transistor laser
Epitaxy structure
Dopant diffusion
Quantum well degradation
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
2
作者
段子刚
黄晓东
周宁
徐光辉
柴广跃
机构
教育部广东省光电子器件与系统重点实验室
光讯科技有限公司
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第9期6193-6199,共7页
基金
国家国际科技合作计划(批准号:2008DFA11010)资助的课题~~
文摘
基于器件模拟仿真,设计了一种1.5μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱.
关键词
晶体管激光器
外延结构
掺杂扩散
量子阱退化
Keywords
transistor laser
epitaxy structure
dopant diffusion
quantum well degradation
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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出处
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1
1550nm波长PNP型InGaAsP-InP异质结晶体管激光器材料设计与外延生长
段子刚
柴广跃
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
2
1.5μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长
段子刚
黄晓东
周宁
徐光辉
柴广跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
原文传递
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