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InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
1
作者
李为军
张波
徐文兰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期651-657,共7页
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能...
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能高低的关键因素。对大电流下晶格优化的Al0.02In0.1Ga0.88N四元材料作为量子阱垒层的器件效能和发光特性下降的原因进行了深入分析,同时提出了具体的解决方法。
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关键词
发光二极管
ALINGAN
应力补偿
量子阱障碍层
数值模拟
下载PDF
职称材料
题名
InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
1
作者
李为军
张波
徐文兰
机构
中国科学院上海技术物理研究所红外物理重点实验室
华东师范大学信息科学技术学院
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期651-657,共7页
基金
国家自然科学基金(No.10474020)
上海市基础研究重大项目(No.06dj14008)资助
文摘
计算比对了不同垒层构型量子阱的极化电场,对极化场下能级结构、载流子浓度分布、自发辐射复合速率和缺陷所造成的Shockley-Read-Hall(SRH)非辐射复合速率进行了研究,确定内建电场引起的量子阱区域载流子浓度分布均匀性是影响器件效能高低的关键因素。对大电流下晶格优化的Al0.02In0.1Ga0.88N四元材料作为量子阱垒层的器件效能和发光特性下降的原因进行了深入分析,同时提出了具体的解决方法。
关键词
发光二极管
ALINGAN
应力补偿
量子阱障碍层
数值模拟
Keywords
light-emitting diodes
AIInGaN
strained compensation
quantum barrier
numerical simulation
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InGaN基蓝色发光二极管量子阱阻挡层的优化设计
李为军
张波
徐文兰
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
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