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ZnO纳米粒子结构对光电量子限域特性的影响 被引量:15
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作者 林艳红 王德军 +2 位作者 肇启东 杨敏 张清林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2077-2079,共3页
The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties o... The ZnO quantum dot particles with an average particle size 3 nm and the ZnO nanorods with an average length of 80 nm and width about 14 nm were synthesized by the sol-gel method. The surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles were investigated by means of FISPS technique and the bands in FISPS were identified. The results show that the surface photovoltaic properties of ZnO nanoparticles make a great difference for the structures or sizes due to the quantum confinement effect. The photovoltaic response intensity of ZnO nanorods is two-orders of magnitude stronger than that of quantum dot particles. And it is found that the ZnO quantum dot particles exhibit significant quantum confinement properties of photogenerated charges. The photovoltaic response bands of ZnO nanorods are related to band-band transition and bound exciton transition, respectively. 展开更多
关键词 ZNO 纳米粒子 结构 光电量子限 激子态 场诱导表面光电压谱 半导体材料 氧化锌
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ZnO纳米线膜的可控生长及其量子限域效应研究 被引量:6
2
作者 张雯 张庆腾 贺永宁 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期82-86,共5页
针对ZnO半导体低维纳电子/光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题,利用ZnO纳米籽晶层作为引导层,以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备,并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制,利... 针对ZnO半导体低维纳电子/光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题,利用ZnO纳米籽晶层作为引导层,以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备,并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制,利用湿化学法在氧化铟锡导电玻璃上制备ZnO籽晶层,随后利用低温水热法进行ZnO纳米线膜的引导生长,样品的显微结构和物相分析表明,通过调节籽晶热处理温度和生长液浓度能够实现ZnO纳米线直径在10~100nm内可调,籽晶热处理温度对纳米线尺度分布影响尤其显著.室温光致发光(PL)谱测试及分析表明,直径小于20nm的ZnO纳米线薄膜样品的PL谱的近紫外带边发射峰相比于更大直径的纳米线样品发生了明显的蓝移,而且半高宽显著减小.利用量子限域效应理论对PL谱带边发射峰随纳米线的尺度分布发生变化的规律进行了合理分析. 展开更多
关键词 ZNO纳米线 可控生长 光致发光 量子限域效应
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量子限域纳米半导体上低碳烷烃的光助催化氧化 被引量:5
3
作者 李新勇 王玉新 +2 位作者 鞠晓东 陈永英 Quincy Teng 《渤海大学学报(自然科学版)》 CAS 2006年第1期1-5,共5页
利用So l-G el及摸板技术定向合成了具有量子限域特征的ZnFe2O4纳米半导体催化剂(Q-ZnFe2O4)。分别采用XRD,DRS,FS,In situ EPR及光催化等手段对合成的纳米半导体的结构,表面化学物理特性,表面界面电荷转移特性及选择催化特性进行了深... 利用So l-G el及摸板技术定向合成了具有量子限域特征的ZnFe2O4纳米半导体催化剂(Q-ZnFe2O4)。分别采用XRD,DRS,FS,In situ EPR及光催化等手段对合成的纳米半导体的结构,表面化学物理特性,表面界面电荷转移特性及选择催化特性进行了深入研究。研究结果表明:采用定向合成技术可以在室温下合成具有尖晶石结构的Q-ZnFe2O4纳米晶半导体。DRS及FS结果证明样品呈现显著的量子限域效应及表面界面效应。原位辐射顺磁共振光谱结果表明:光生的电子和空穴可以分别在体相及表相Fe3+位置被同时俘获。临氧条件下,量子限域Q-ZnFe2O4纳米半导体受光激发后,光生电子可由表相Fe3+转移给四面体位置的Zn2+,即表相Fe3+可以作为光生载流子的生成中心;吸附的分子氧可以俘获迁移的电子形成高活性的羟基自由基。温和条件下,Q-ZnFe2O4纳米晶半导体可以高效活化分子氧实现低碳烷烃的光催化选择氧化,其中醇类羟基化合物的选择性可接近60%。 展开更多
关键词 量子限域ZnFe2O4 光催化氧化 分子氧活化 电荷转移 表面态 尺寸量子效应
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表面环境对量子限域材料非线性光学性质的影响
4
作者 艾希成 费浩生 +8 位作者 韩力 聂瑞娟 胡振华 杨延强 邹炳锁 张岩 李守田 肖良质 李铁津 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第S1期50-51,共2页
超微粒子的电子和光学性质的研究受到越来越多的人们的关注,当粒子尺寸相当于或小于它的相应体相的玻尔半径时,超微粒子由于量子尺寸效应,介电效应和表面效应的影响,其电子和光学性质将发生明显的变化。在这样小的尺度范围内。
关键词 光学性质 材料非线性 超微粒子 量子限 量子尺寸效应 表面环 电子结构 FRENKEL激子 介电效应 表面效应
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量子限域材料的非线性光学过程
5
作者 费浩生 韩力 +1 位作者 艾希成 张国有 《量子电子学报》 CAS CSCD 1992年第1期12-12,共1页
当介质的微粒尺寸小于体相材料中原子的玻尔半径时(大约小于10nm),这类超微粒材料出现了许多特异的光学及非线性光学现象。例如,室温激子吸收的出现,三阶非线性系数x<sup>(3)</sup>的增大,特有的介面现象等,称作量子限... 当介质的微粒尺寸小于体相材料中原子的玻尔半径时(大约小于10nm),这类超微粒材料出现了许多特异的光学及非线性光学现象。例如,室温激子吸收的出现,三阶非线性系数x<sup>(3)</sup>的增大,特有的介面现象等,称作量子限域效应。我们首次报导了利用溶胶化学方法合成了若干过渡金属氧化物(Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>,Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>等)的量子限域材料,讨论了非线性光学特性与材料尺寸的关系,给出了若干实验结果。 展开更多
关键词 非线性光学过程 量子限域效应 非线性系数 过渡金属氧化物 非线性光学特性 非线性光学现象 四波混频 室温激子 玻尔半径 超微粒
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两种特殊形状量子限域腔的电子结构
6
作者 侯春风 王玲 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期694-694,共1页
关键词 量子点模型 量子限域腔 电子结构 柱面透镜形
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类石墨烯C_3N_4纳米片光催化分解水制氢中的量子限域效应 被引量:4
7
作者 郝旭强 杨浩 +3 位作者 靳治良 续京 敏世雄 吕功煊 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2581-2592,共12页
从层状化合物获得的纳米片是一类新型纳米结构材料,这种二维各向异性的纳米甚至亚纳米级的材料具有独特的物理化学性能,其中最好的一个例证就是从石墨烯C_3N_4到石墨烯C_3N_4纳米片的转变。通过高温氧化热刻蚀方法将体相g-C_3N_4剥离成g... 从层状化合物获得的纳米片是一类新型纳米结构材料,这种二维各向异性的纳米甚至亚纳米级的材料具有独特的物理化学性能,其中最好的一个例证就是从石墨烯C_3N_4到石墨烯C_3N_4纳米片的转变。通过高温氧化热刻蚀方法将体相g-C_3N_4剥离成g-C_3N_4纳米片,应用于染料敏化可见光分解水产氢,表现出了较体相g-C_3N_4高于2.6倍的产氢速率。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、Brunauer-Emmett-Teller(BET)、荧光光谱和光电化学等表征研究了g-C_3N_4纳米片的结构及曙红(EY)和gC_3N_4纳米片之间的电子迁移过程。热剥离后的g-C_3N_4纳米片具有较高的比表面积,不仅可以更为有效地吸附染料分子,还因其量子限域效应大大增强了光生电荷的分离效率和电子转移效率,改善了电子沿平面方向的传输能力以及光生载流子的寿命,从而显著提高g-C_3N_4纳米片的光催化产氢活性。 展开更多
关键词 g-C3N4纳米片 染料敏化 量子限域效应 光催化 产氢
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掺杂T型半导体量子线的量子限域效应与有效库仑作用
8
作者 白凌志 王廷栋 +3 位作者 刘月 程诚 张伟 怀平 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期390-394,共5页
采用双带模型研究了掺杂半导体量子线中的量子限域效应及有效库仑作用。通过有限元方法数值求解复杂边界条件下薛定谔方程,获得了T型砷化镓量子线中载流子的单粒子波函数。载流子间的有效库仑作用通过包络函数近似获得。研究发现,重空... 采用双带模型研究了掺杂半导体量子线中的量子限域效应及有效库仑作用。通过有限元方法数值求解复杂边界条件下薛定谔方程,获得了T型砷化镓量子线中载流子的单粒子波函数。载流子间的有效库仑作用通过包络函数近似获得。研究发现,重空穴量子限域效应强于电子,空穴间的有效库仑作用随控制电场增大,而电子间的有效库仑作用则减弱。电子与空穴间的有效库仑作用变化规律较为复杂,反映了电子与空穴的局域与离域性的相互竞争关系。 展开更多
关键词 半导体量子线 电荷掺杂 量子限 有效库仑势
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纳米ZnO的量子限域效应和激光散射特性研究
9
作者 蒋剑莉 李江 +1 位作者 曹琦 李相银 《物理实验》 北大核心 2004年第2期20-22,25,共4页
研究了纳米ZnO的量子限域效应和不同粒径对于不同激光的散射特性 ,从实验和理论两方面验证了纳米材料的光学特性 .
关键词 纳米材料 氧化锌 量子限域效应 激光散射 隐身技术 有效质量 吸收能带 光学蓝移 光学吸收
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半导体掺杂玻璃的量子限效应 被引量:1
10
作者 李磊 席淑珍 张建国 《光学机械》 CSCD 1990年第5期13-17,共5页
本文对于不同再结合的半导体带满光学非线性给予了新的解释。报导了自制的半导体掺杂CdS_xSe_(1-x)非线性光学玻璃。研究了热处理温度和时间对掺杂玻璃微晶直径和光谱特性的影响,观察了玻璃微晶平均直径在35(?)—80(?)出现的量子限效应... 本文对于不同再结合的半导体带满光学非线性给予了新的解释。报导了自制的半导体掺杂CdS_xSe_(1-x)非线性光学玻璃。研究了热处理温度和时间对掺杂玻璃微晶直径和光谱特性的影响,观察了玻璃微晶平均直径在35(?)—80(?)出现的量子限效应。文中给出了半导体掺杂玻璃微晶尺寸与量子限效应的关系。 展开更多
关键词 半导体 掺杂 玻璃 量子限效应
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量子限半导体掺杂玻璃的非线性光学性质
11
作者 席淑珍 李磊 翁兆恒 《光学机械》 CSCD 1992年第1期146-149,共4页
成功地制备了微晶平均直径在10~45量子限 CdS_xSe_(1-x)半导体掺杂非线性光学玻璃。透射电镜观察了微晶结构及形貌特征。用四波混频技术测得玻璃的三阶非线性极化率 x^(3)=1×10^(-3)esu、非线性响应时间为35psec。研究了半导体... 成功地制备了微晶平均直径在10~45量子限 CdS_xSe_(1-x)半导体掺杂非线性光学玻璃。透射电镜观察了微晶结构及形貌特征。用四波混频技术测得玻璃的三阶非线性极化率 x^(3)=1×10^(-3)esu、非线性响应时间为35psec。研究了半导体掺杂玻璃光致载流子三维量子限效应、亚带结构、微晶尺寸,以及与带隙能之间的关系。从理论上分析了微晶尺寸、微晶体积占有率与三阶非线性极化率 x^(3)之间的关系。 展开更多
关键词 量子限 半导体 掺杂玻璃 光学性质
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量子限域效应对二氧化锡纳米微粒激子特性的影响
12
作者 余保龙 尹国盛 郭立俊 《河南大学学报(自然科学版)》 CAS 1994年第3期43-44,42,共3页
本文报导了量子限域效应对SnO2纳米微粒激子谱特性的影响,探讨了产生这些影响的物理机制.
关键词 量子限 二氧化锡 激子 纳米材料
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大物体的量子限
13
作者 JRMinkel 《科学(中文版)》 2004年第8期19-19,共1页
关键词 大物体 晶体管 量子限 零点能 热振动
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非晶化与量子限域效应
14
作者 鲁山 王兵 +2 位作者 杨金龙 侯建国 朱清时 《物理》 CAS 北大核心 2003年第10期690-692,共3页
当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子隧穿实验发现 ,在晶态Pd颗粒中能观察到量子限域效应 ,而在同样大小的非晶Pd颗粒中却没有观察到 .考虑到... 当材料尺度减小到几个纳米时 ,材料内部电子结构会表现为分立能级 ,这就是所谓的量子限域效应 .通过晶态和非晶Pd纳米颗粒的单电子隧穿实验发现 ,在晶态Pd颗粒中能观察到量子限域效应 ,而在同样大小的非晶Pd颗粒中却没有观察到 .考虑到有序 /无序结构的静态效应并结合电子散射等动态效应 ,解释了非晶Pd颗粒实验中没有观察到量子限域效应的原因 .这一结果表明 ,尺寸减小并不足以使纳米体系表现量子行为 。 展开更多
关键词 非晶化 量子限域效应 单电子隧穿 金属纳米颗粒 非晶钯颗粒 纳米材料 能级简并度 电子结构
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基于量子加权门限重复单元神经网络的性态退化趋势预测 被引量:4
15
作者 李锋 向往 +1 位作者 王家序 汤宝平 《振动与冲击》 EI CSCD 北大核心 2019年第1期123-129,158,共8页
提出基于量子加权门限重复单元神经网络(Quantum Weight Gated Recurrent Unit Neural Network,QWGRUNN)的旋转机械性态退化趋势预测方法。采用小波降噪-排列熵法构建性态退化指标集,将该指标集输入QWGRUNN完成旋转机械性态退化趋势预测... 提出基于量子加权门限重复单元神经网络(Quantum Weight Gated Recurrent Unit Neural Network,QWGRUNN)的旋转机械性态退化趋势预测方法。采用小波降噪-排列熵法构建性态退化指标集,将该指标集输入QWGRUNN完成旋转机械性态退化趋势预测。QWGRUNN在门限重复单元(Gated Recurrent Unit,GRU)基础上引入量子位来表示网络权值和活性值并构造量子相移门以实现权值量子位和活性值量子位的更新,改善了网络泛化能力,进而提高了所提出的性态退化趋势预测方法的预测精度;采用与自身结构相适应的动态学习参数,改善了网络收敛速度,进而提高了所提出的预测方法的计算效率。滚动轴承性态退化趋势预测实例验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 量子加权门重复单元神经网络 量子计算 排列熵 趋势预测 旋转机械
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外部光反馈注入式量子限激光器
16
作者 晴天 木皆 《国外激光》 CSCD 1993年第5期11-15,共5页
许多文献研究了外部光反馈对注入激光辐射特性的影响。已经表明,如果反馈较弱,可观察到辐射谱线压窄和噪声减小,随着反馈的增加则产生换模,然后激光功率出现强烈起伏。
关键词 激光器 量子限激光器 反馈 注入
原文传递
量子点的电子结构及量子效应 被引量:16
17
作者 宋国利 杨幼桐 +2 位作者 孙凯霞 陈保久 刘慧英 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 2002年第1期80-83,共4页
纳米材料与宏观体材料的物理化学性质不同,其物理化学性质取决于量子尺寸效应和量子限域效应等,讨论了量子点的主要量子效应以及处理量子点电子结构的方法,同时提出了目前存在的困难。
关键词 量子 纳米粒子 表面效应 量子限域效应 量子尺寸效应 电子结构 量子效应 纳米材料
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CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应 被引量:4
18
作者 王德军 崔毅 +2 位作者 李铁津 董相廷 洪广言 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1071-1072,共2页
CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有... CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有着重要的高科技应用背景[1],但有... 展开更多
关键词 纳米晶 量子限 氧化铈 光伏效应
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GaN半导体中InN量子点的结构性质(英文) 被引量:4
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作者 陈珊珊 郑江海 +1 位作者 李书平 康俊勇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期88-92,共5页
采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一... 采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。 展开更多
关键词 量子 量子限域效应 电子态密度
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分解幻数团簇前驱体化合物低温制备高产率超小尺寸硫化镉量子点
20
作者 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第11期19-21,共3页
胶体半导体量子点(QDs)在生物、能源、环境领域具有巨大的应用潜力1–3。由于量子限域效应,半导体QD的光学性质受控于尺寸大小。因此,大量的合成研究专注于QD的尺寸控制。在较低反应温度和较短反应时间条件下,传统合成小尺寸IIVI族QD的... 胶体半导体量子点(QDs)在生物、能源、环境领域具有巨大的应用潜力1–3。由于量子限域效应,半导体QD的光学性质受控于尺寸大小。因此,大量的合成研究专注于QD的尺寸控制。在较低反应温度和较短反应时间条件下,传统合成小尺寸IIVI族QD的产率极低。例如,硒化镉(Cd Se) QD的产率小于2%4;小尺寸硫化镉(Cd S)QD的合成通常伴随多种副产物的生成,如Cd S幻数团簇(MSCs)及其前驱化合物(PCs) 5。低温制备高产率超小尺寸胶体半导体QD的研究,既是本领域的一个巨大挑战,又是本领域的一个研究空白点。 展开更多
关键词 尺寸控制 硫化镉量子 量子限域效应 高产率 低温制备 幻数 硒化镉 光学性质
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